IR新一代Gen 7 F器件采用擊穿溝道式技術(shù),能夠為特定的工作頻率提供更高功率密度,以及經(jīng)過(guò)優(yōu)化的傳導和開(kāi)關(guān)損耗。全新IGBT的VCE(ON) 非常低,能通過(guò)零溫度系數提升效率,使整個(gè)工作范圍都能保持高效率。該器件還能實(shí)現順暢開(kāi)關(guān),以減少電磁干擾與過(guò)沖,并且能在電機驅動(dòng)應用中實(shí)現額定短路。
IR亞太區銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示:“IR全新的600V Gen 7 F溝道IGBT具有非常低的開(kāi)關(guān)和傳導損耗,為在10kHz以下工作的電機驅動(dòng)應用進(jìn)行了優(yōu)化,從而實(shí)現最佳效率?!?
IRG7RC10FD 和IRG7IC30FD 均與軟恢復二極管共同封裝,而IRG7SC12F 則是單一IGBT,可讓設計師根據應用需要選擇合適的二極管。
兩款配備Gen 7 F IGBT的電機控制參考設計現已供應。IRMDKG7-400W包含適合高達400W電機的IRG7SC30FD DPAK IGBT和IRS2334S 三相位高壓集成電路 (HVIC) 驅動(dòng)器,而IRMDKG7-600W包含適合高達600W電機的IRG7SC30FD DPAK IGBT和IRS2334S 三相位高壓集成電路驅動(dòng)器。兩款參考設計都備有散熱片供用戶(hù)選擇。
產(chǎn)品規格
產(chǎn)品現正接受批量訂單。有關(guān)器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規定 (RoHS) 。