賽普拉斯非易失性存儲器增加16-Mbit并行nvSRAM和同步NAND接口

賽普拉斯半導體公司日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機訪(fǎng)問(wèn)存儲器 (nvSRAM) 系列，其中包括具備同步NAND閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開(kāi)放式NAND閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線(xiàn)控制器相連接的非易失性 SRAM存儲器。16-Mbit 系列擴展了賽普拉斯的 nvSRAM 產(chǎn)品系列，從而充分滿(mǎn)足了企業(yè)系統固態(tài)硬盤(pán) (SSD)、高端可編程邏輯控制器 (PLC)、存儲系統高速數據/錯誤日志和網(wǎng)絡(luò )設備的需求。

16-Mbit nvSRAM的存取時(shí)間低至 僅25 ns，使其成為市場(chǎng)上速度最快的異步非易失性RAM。此外，全新器件還提供了可選的集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘 (RTC)，這是同類(lèi)競爭解決方案所不具備的特性。RTC功能可用于給重要的數據打上時(shí)間標記，以便記錄。賽普拉斯的 nvSRAM 支持無(wú)限次讀，寫(xiě)和恢復（recall）周期，數據保留時(shí)間長(cháng)達 20 年，使其成為面向需要連續高速數據寫(xiě)入和絕對非易失性數據安全性應用的業(yè)界最佳解決方案。

賽普拉斯非易失性產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁 Babak Taheri 指出：“全新 16-Mbit 系列產(chǎn)品超越了速度、密度和性能的極限，同時(shí)還保持了我們 nvSRAM 產(chǎn)品系列標志性的出色可靠性。同步NAND接口為賽普拉斯 nvSRAM 開(kāi)辟了多個(gè)全新的市場(chǎng)，擴展了我們整體非易失性解決方案的廣度和靈活性?！?

ONFI NAND 接口 nvSRAM 支持 ONFI 3.0 NV-DDR 接口 (100MHz) 和 ONFI 3.0 NV-DDR2 接口 (200MHz)。Toggle NAND 接口 nvSRAM 與 Toggle 2.0 NAND 控制器兼容，支持 DDR 工作在200MHz。

ONFI 和 Toggle 版本都能支持 x8 和 x16 數據總線(xiàn)寬度的單通道工作，同時(shí)也支持 x8 位數據總線(xiàn)寬度的雙通道和四通道工作，可實(shí)現每秒高達 4 億次的事務(wù)處理。

供貨情況

16-Mbit nvSRAM 系列目前已開(kāi)始提供樣片，預計將于 2013 年第一季度投入量產(chǎn)。CY14V116Fx 的ONFI 和 Toggle NAND 器件可在 3V 內核電壓、1.8V IO 電源下工作，采用 165 焊球 FBGA 封裝。兩款異步器件（帶和不帶 RTC 功能）均可提供 8 位、16 位和 32 位數據總線(xiàn)寬度，供電電壓為 2.5V、3V 和 5V。這些器件分別采用了 44 引腳 TSOPII 封裝、48 引腳 TSOPI 封裝和 165 焊球 FBGA 封裝。