纖薄才時(shí)尚？安森美新推超小型MOSFET來(lái)幫忙

應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容，推出一對優(yōu)化的超小超薄小信號MOSFET，用于空間受限的便攜消費電子產(chǎn)品，如平板電腦、智能手機、GPS系統、數字媒體播放器及便攜式游戲機。

安森美半導體功率MOSFET產(chǎn)品分部副總裁Paul Leonard說(shuō)：“由于便攜電子產(chǎn)品的尺寸持續縮小，同時(shí)其板載特性持續增多，故無(wú)論是現在或未來(lái)將繼續存在針對超小型、高性能元器件的持續需求，從而使特性豐富的隨身攜帶型設備具有高能效及高功能性。NTNS3193NZ和NTNS3A91PZ恰好配合此需求，使設計工程師能夠指定使用具有所需特性及功能同時(shí)還支持消費者如今期望的纖薄時(shí)尚型設計的器件?！?

新的NTNS3193NZ 和NTNS3A91PZ被認為是業(yè)界最緊湊的小信號MOSFET，因為它們采用極小的0.62 mm x 0.62 mm x 0.4 mm XLLGA3封裝。XLLGA3封裝的總表面貼裝面積僅為0.38 mm2，是用于日漸縮小的便攜產(chǎn)品應用環(huán)境的極佳方案，輕易替代采用大得多封裝的競爭產(chǎn)品，如SOT-883封裝(表面貼裝面積為0.6mm2)或SOT-723 (表面貼裝面積為1.44 mm2)。

NTNS3193NZ是一款20伏(V)、單N溝道、門(mén)極至源極電壓(VGS)為±4.5 V時(shí)典型導通阻抗(RDS(on))為0.75 Ω的器件。這器件與NTNS3A91PZ相輔相成，后者是一款20V、單P溝道器件，VGS為±4.5V時(shí)典型導通阻抗為1.3 Ω。

這兩款新MOSFET由于具有低導通阻抗、低閾值電壓及1.5 V門(mén)極驅動(dòng)能力，集成在便攜電子產(chǎn)品中時(shí)大幅降低能耗，使它們非常適合于小信號負載開(kāi)關(guān)、模擬開(kāi)關(guān)及高速接口應用。兩款器件都完全無(wú)鉛、無(wú)鹵素及符合RoHS指令。

價(jià)格

NTNS3193NZ和NTNS3A91PZ 每批量8,000片的單價(jià)分別為0.33和0.35美元。