關(guān)鍵字：英飛凌 太陽(yáng)能逆變器
SiC JFET已在日本的一個(gè)10KW的太陽(yáng)能逆變器項目中采用。
此次采用的新款CoolSiC 1200V SiC JFET系列器件融合了英飛凌在SiC技術(shù)領(lǐng)域超過(guò)十年的研發(fā)經(jīng)驗，具備高質(zhì)量、可大量生產(chǎn)的特點(diǎn)?！坝w凌一直在SiC工藝方面走在前列?！盡ittal稱(chēng)，“相對于競爭對手還在有用3.5英寸的SiC量產(chǎn)，我們馬上會(huì )進(jìn)入6英寸的SiC量產(chǎn)，比如JFET就會(huì )采用6英寸的SiC工藝?！毕噍^于傳統的IGBT，全新的SiC JFET 大幅降低切換耗損，在不需要犧牲系統整體效率的同時(shí)，可應用于更高的切換頻率，因此能夠使用體積更小的無(wú)源器件，進(jìn)一步縮小整體解決方案的體積與重量，并降低系統成本。換句話(huà)說(shuō)，該解決方案能夠讓相同體積的逆變器達到更高的輸出功率。為確保常開(kāi)JFET技術(shù)的安全性及使用方便性，英飛凌開(kāi)發(fā)了一項名為直接驅動(dòng)技術(shù)(Direct Drive Technology)的概念，應用這個(gè)概念的JEFT在外部使用了一個(gè)低壓MOSFET及專(zhuān)用的驅動(dòng)IC，以確保系統能安全開(kāi)啟，而且能在安全且受控制的情況下進(jìn)行切換?！癈oolSiC JFET采用單片集成式二極管，切換效果與外接式的SiC肖特基二極管相當。這種搭配組合使其在效率、可靠性、安全性及使用方便性上達到顛峰?！彼忉?。預計其第一批大規模量產(chǎn)會(huì )在明年上半年實(shí)現，到時(shí)中國太陽(yáng)能逆變器廠(chǎng)商也會(huì )享用到此高效率的產(chǎn)品了。
除了在SiC工藝上的領(lǐng)先外，英飛凌在超薄晶圓片工藝上也不斷開(kāi)拓，處于領(lǐng)先地位。作為IGBT的領(lǐng)軍者，英飛凌一直進(jìn)行持續不斷地投資與創(chuàng )新，其中包括投資12英寸模擬晶圓廠(chǎng)和超薄晶圓?！拔覀兠磕暧谐^(guò)9億歐元的投入，主要是研發(fā)與生產(chǎn)?！盡ittal表示。IGBT由于雙面都是有源的，因此厚度決定了開(kāi)關(guān)損耗，英飛凌的超薄晶圓技術(shù)不斷提升，目前已開(kāi)發(fā)出70μm厚度的晶圓(300mm)，將開(kāi)關(guān)損耗降至最低，而根據英飛凌的Roadmap，未來(lái)晶圓將進(jìn)一步縮減至40μm?！跋鄬?，對手的IGBT還在采用120μm的晶園?！彼f(shuō)。
先進(jìn)的SiC工藝和超薄晶圓是英飛凌提升功率器件效率的兩條途徑，至于大家談?wù)撦^多的GaN工藝，Mittal表示，英飛凌會(huì )保持研發(fā)與跟蹤，也提供小批量生產(chǎn)，但是基于目前的成本太高，還不適合于大規模量產(chǎn)。英飛凌會(huì )持續對以上兩個(gè)工藝進(jìn)行投資，推動(dòng)功率器件的創(chuàng )新。這里有還一個(gè)重要信息要公示一下，也就是從今年十月一日開(kāi)始，現任CEO Peter Bauer將由于身體健康方面的原因退休，新的CEO為在英飛凌服務(wù)多年的Reinhard Ploss博士，并會(huì )繼續將高能效、交通與安全作為英飛凌發(fā)展的三大重點(diǎn)領(lǐng)域。
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