報告顯示，晶圓代工廠(chǎng)在半導體行業(yè)中的排名，有三家可排進(jìn)半導體前20名。前四大晶圓代工廠(chǎng)臺積電、格羅方德、臺聯(lián)電和中芯國際占全球市場(chǎng)總量的85％。其中，臺積電獨占全球晶圓代工市場(chǎng)59%的份額，格羅方德、聯(lián)華電子和中芯國際三家合并市場(chǎng)份額占26％。
晶圓代工廠(chǎng)主要有兩類(lèi)客戶(hù)：Fabless公司例如Qualcomm、Nvidia、Xilinx、AMD等。IDM廠(chǎng)商例如ON，ST，TI，Toshiba等。
SEMI估計，全球將于2017年～2020年間投產(chǎn)62座半導體晶圓廠(chǎng)，其中26座設于中國大陸，占全球總數的42%。這些建于中國的晶圓廠(chǎng)2017年預計6座投產(chǎn)，2018年7座投產(chǎn)，在未來(lái)數年投入資金超3500億元。
中國大陸2015年投資建設的晶圓廠(chǎng)以外資為多，如英特爾總投資55億美元在大連，升級原有的大連工廠(chǎng)，生產(chǎn)非易失性存儲器;聯(lián)電投資13.5億美元在廈門(mén)建立月產(chǎn)能6萬(wàn)片的12英寸晶圓代工廠(chǎng)；力晶投資135.3億元在合肥新區設立月產(chǎn)能4萬(wàn)片的12英寸晶圓代工廠(chǎng)。進(jìn)入2016年后，中國大陸的半導體投資則以中資為主。
2016年3月28日，以武漢新芯為基礎的國家存儲器生產(chǎn)基地項目正式動(dòng)工，主要面向存儲器芯片的產(chǎn)品設計、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試，將在5年內投資240億美元，預計到2020年將形成月產(chǎn)能30萬(wàn)片的生產(chǎn)規模，到2030年將形成每月100萬(wàn)片的產(chǎn)能。2016年7月26日，長(cháng)江存儲科技有限責任公司宣布成立。公司注冊資本分兩期出資，一期由國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)和湖北省科技投資集團有限公司共同出資，并在武漢新芯的基礎上建立長(cháng)江存儲。二期將由紫光集團和國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司共同出資。
同樣是在2016年3月28日，南京市政府與臺積電正式簽署合作協(xié)議。臺積電將投資30億美元建設12英寸晶圓廠(chǎng)和IC設計中心，初期月規劃產(chǎn)能2萬(wàn)片。2016年7月7日項目舉行開(kāi)工典禮，預計在2018年下半年正式投產(chǎn)16nm制程，將在2019年達到預定產(chǎn)能。
2016年3月29日CMOS傳感器廠(chǎng)德科瑪宣布在江蘇淮安建一座小規模12英寸晶圓廠(chǎng)。一期項目8英寸晶圓廠(chǎng)總投資5億美元，以自主設計的圖像傳感器芯片制造為主。預計項目投產(chǎn)后產(chǎn)能可達4萬(wàn)片/月。二期項目12英寸晶圓廠(chǎng)總投資20億美元，投產(chǎn)后產(chǎn)能可達2萬(wàn)片/月。
美國AOS公司將投資7億美元在重慶水土園區建設12英寸功率半導體芯片制造及封測基地，項目于2016年3月30日舉行開(kāi)工活動(dòng)。美國AOS半導體股份有限公司于2000年在美國加州成立總部，主營(yíng)功率型金屬氧化層場(chǎng)效晶體管(Power MOSFET)。
7月16日，福建省晉華存儲器集成電路生產(chǎn)線(xiàn)舉行開(kāi)工儀式。項目一期投資370億元，計劃建設一座存儲器研發(fā)制造企業(yè)，重點(diǎn)發(fā)展DRAM產(chǎn)品，初期將以利基型DRAM為切入點(diǎn)。
10月份，中芯國際在一個(gè)月內連續宣布新廠(chǎng)投資計劃，將在上海開(kāi)工新建一條12英寸生產(chǎn)線(xiàn)，制程為14納米及以下，月產(chǎn)能7萬(wàn)片，總投資高達675億元;將天津的8英寸生產(chǎn)線(xiàn)，產(chǎn)能由4.5萬(wàn)片/月，擴大至15萬(wàn)片/月，成為全球單體最大的8英寸生產(chǎn)線(xiàn);在深圳新建一條12英寸生產(chǎn)線(xiàn)，預期目標產(chǎn)能達到每月4萬(wàn)片。
11月9日，華力微電子二期12英寸高工藝等級生產(chǎn)線(xiàn)項目正式啟動(dòng)，總投資387億元，規劃月產(chǎn)能4萬(wàn)片，設計工藝為28、20和14納米。
2017年1月13日，在浙江杭州市臨安青山湖科技城聚賢街與崇文路交叉口，中電?？荡鎯π酒邪l(fā)及中試基地項目開(kāi)工。據悉，該項目投資13億元，占地50畝，計劃今年9月投用；中試運營(yíng)成功穩定后，后期產(chǎn)業(yè)化投資將達到百億元級規模。
加總上述的設資計劃，在未來(lái)數年間投入集成電路制造領(lǐng)域的資金將超過(guò)3500億元。在產(chǎn)能建設上，根據國際半導體設備與材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)發(fā)布的報告，目前全球處于規劃或建設階段，預計將于2017年～2020年間投產(chǎn)的半導體晶圓廠(chǎng)約為62座，其中26座設于中國，占全球總數42%。這些建于中國的晶圓廠(chǎng)2017年預計將有6座上線(xiàn)投產(chǎn)，2018年達到高峰，共13座晶圓廠(chǎng)加入營(yíng)運，其中多數為晶圓代工廠(chǎng)。
