集邦咨詢(xún)半導體研究中心最新研究顯示，2016年底，NAND Flash市場(chǎng)缺貨情況達到最高峰，在供貨持續吃緊的預期心理帶動(dòng)下，DRAMeXchange估計2017年第一季eMMC單季漲幅達15～20%，而SSD合約價(jià)也上漲10～15%，創(chuàng )下近八個(gè)季度以來(lái)單季漲價(jià)幅度的新高。不過(guò)，由于近期NAND Flash、面板與DRAM等關(guān)鍵零部件漲勢凌厲，已沖擊到智能手機與筆電的成本管控、壓縮廠(chǎng)商利潤，因此eMMC與SSD的平均存儲容量搭載量的成長(cháng)速度將因而趨緩。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，由于NAND Flash累積漲價(jià)幅度已高，迫使終端廠(chǎng)商紛紛調整產(chǎn)品平均存儲容量搭載量，預估第二季NAND Flash市場(chǎng)在整體供需仍健康的情況下，SSD與eMMC合約價(jià)上漲幅度將出現明顯收斂，過(guò)去幾個(gè)季度大幅漲價(jià)的態(tài)勢將走緩。
展望2017年，以各項NAND Flash終端需求來(lái)看，企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)仍為需求成長(cháng)最穩健的領(lǐng)域，受惠于服務(wù)器與數據中心端需求的強勁成長(cháng)，高效能的企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)在系統設計上將更為普遍。而用戶(hù)級固態(tài)硬盤(pán)部分，平均搭載量成長(cháng)速度將因NAND Flash漲價(jià)而趨緩。但SSD已成為筆電的標準配備，今年SSD在筆記本電腦的滲透率仍將持續提升。
此外，楊文得指出，蘋(píng)果于下半年推出的新一代iPhone，將是NAND Flash市場(chǎng)的后續觀(guān)察指針，在大幅度改款與更多新功能加入后，iPhone將重拾銷(xiāo)售動(dòng)能，有助于下半年NAND Flash市場(chǎng)的行情。
Flash市場(chǎng)最大變數，3D NAND產(chǎn)能順利開(kāi)出
臺媒報道稱(chēng)，去年下半年以來(lái)NAND Flash市場(chǎng)供不應求，主要關(guān)鍵在于上游原廠(chǎng)全力調撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場(chǎng)出現貨源不足問(wèn)題，價(jià)格也因此明顯上漲。
不過(guò)，隨著(zhù)3D NAND加速量產(chǎn)，下半年產(chǎn)能若順利開(kāi)出，將成為NAND Flash市場(chǎng)最大變數。
2D NAND Flash制程持續往1y/1z納米進(jìn)行微縮，如三星及SK海力士去年已轉進(jìn)14納米，東芝及西部數據（WD）進(jìn)入15納米，美光導入16納米等。但因芯片線(xiàn)寬線(xiàn)距已達物理極限，2D NAND技術(shù)推進(jìn)上已出現發(fā)展瓶頸，用1y/1z納米生產(chǎn)的2D NAND并未出現成本效益，因此，NAND Flash廠(chǎng)開(kāi)始將投資主力放在3D NAND，但也因產(chǎn)能出現排擠，NAND Flash產(chǎn)出量明顯減少，導致下半年價(jià)格強勁上漲。
去年NAND Flash價(jià)格自第2季開(kāi)始全面回升，漲勢直達年底，主流的SSD價(jià)格漲幅超過(guò)4成，eMMC價(jià)格最高逼近6成，完成出乎市場(chǎng)意料。在此一情況下，原廠(chǎng)為了維持競爭優(yōu)勢，決定加速搶進(jìn)3D NAND市場(chǎng)，而今年亦成為3D NAND市場(chǎng)成長(cháng)爆發(fā)的一年，產(chǎn)能軍備競賽可說(shuō)是一觸即發(fā)。
以各原廠(chǎng)的技術(shù)進(jìn)展來(lái)看，三星去年進(jìn)度最快已成功量產(chǎn)3D NAND，去年底出貨占比已達35％，最先進(jìn)的64層芯片將在今年第1季放量投片，3D NAND的出貨比重將在本季達到45％。另外，三星不僅西安廠(chǎng)全面量產(chǎn)3D NAND，韓國Fab 17/18也將投入3D NAND量產(chǎn)。
包括東芝及WD、SK海力士、美光等其它業(yè)者，去年是3D NAND制程轉換不順的一年，良率直到去年底才見(jiàn)穩定回升，生產(chǎn)比重均不及1成。不過(guò)，今年開(kāi)始3D NAND量產(chǎn)情況已明顯好轉，東芝及WD已開(kāi)始小量生產(chǎn)64層芯片，今年生產(chǎn)主力將開(kāi)始移轉至64層3D NAND，除了Fab 5開(kāi)始提高投片外，Fab 2將在本季轉進(jìn)生產(chǎn)64層3D NAND，Fab 6新廠(chǎng)將動(dòng)土興建并預估2018年下半年量產(chǎn)。
SK海力士去年在36層及48層3D NAND的生產(chǎn)上已漸入佳境，M12廠(chǎng)已量產(chǎn)3D NAND，今年決定提升至72層，將在第1季送樣，第2季進(jìn)入小量投片，而韓國M14廠(chǎng)也將在今年全面進(jìn)入3D NAND量產(chǎn)階段。
美光與英特爾合作的IM Flash已在去年進(jìn)行3D NAND量產(chǎn)，去年底第二代64層3D NAND已順利送樣，今年將逐步進(jìn)入量產(chǎn)，F10x廠(chǎng)也會(huì )開(kāi)始全面轉向進(jìn)行3D NAND投片。英特爾大陸大連廠(chǎng)則已量產(chǎn)3D NAND，并將在今年開(kāi)始量產(chǎn)新一代XPoint存儲器。
