集邦咨詢(xún)半導體研究中心（DRAMeXchange）最新研究顯示，由于原廠(chǎng)先進(jìn)制程質(zhì)量問(wèn)題頻傳，第二季標準型內存供貨吃緊情況未見(jiàn)舒緩，價(jià)格漲幅超乎預期。就目前的成交價(jià)格看來(lái)，第二季4GB DDR4模組合約均價(jià)來(lái)到27美元，相較第一季的24美元，上漲幅度約12.5%。
DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，進(jìn)入第二季，全球內存市場(chǎng)仍呈現供貨吃緊的狀態(tài)，各PC OEM大廠(chǎng)正陸續與主要DRAM原廠(chǎng)議定新季度的合約價(jià)格。原先市場(chǎng)期待供給即將增加，但由于三星、美光等先進(jìn)大廠(chǎng)在18或17納米上都出現質(zhì)量異常的狀況，使得供貨吃緊的態(tài)勢仍未得到紓解，第二季整體DRAM確定維持上漲走勢。
三星、美光制程轉進(jìn)遇瓶頸，供貨吃緊短期難解
從第一季中開(kāi)始，三星18納米的標準型內存產(chǎn)品陸續進(jìn)入量產(chǎn)階段，但由于先進(jìn)制程的設計難度高，在生產(chǎn)的過(guò)程中容易與部分筆電的平臺出現兼容性相關(guān)的問(wèn)題，導致產(chǎn)線(xiàn)的不良率過(guò)高，影響出貨。目前三星半導體正積極解決該異常狀況，但出貨不順的現況使供貨吃緊的態(tài)勢未能舒緩。
同時(shí)，美光的17納米產(chǎn)品也在第一季中陸續送交樣品給客戶(hù)做測試，目前測試過(guò)程并不順利，原先設定在第二季度可能量產(chǎn)的目標恐將推遲。
SK海力士則因為目前沒(méi)有進(jìn)行制程轉換，成為三大廠(chǎng)當中唯一沒(méi)有遭遇供貨不順問(wèn)題的廠(chǎng)商。吳雅婷指出，三星和美光遭逢的狀況說(shuō)明制程轉進(jìn)至20納米以下時(shí)，在設計、生產(chǎn)的難度都大幅提升，此外，也說(shuō)明制程微縮能享有的位元成長(cháng)越來(lái)越少，使得供貨端吃緊的態(tài)勢若要得到舒緩，還需花費更多時(shí)間。
吳雅婷進(jìn)一步指出，整體而言，第二季內存價(jià)格持續向上的趨勢仍未改變。除標準型內存外，服務(wù)器內存的漲幅也相當明顯，預估將達10%~15%。而行動(dòng)式內存則為目前漲幅最小者，在中國智能手機的出貨動(dòng)能尚未大幅轉強以前，預估第二季行動(dòng)式內存漲幅僅約5%以下，其中eMCP產(chǎn)品因NAND同時(shí)缺貨的緣故，漲幅較高，約達5%。
