在推動(dòng)NAND Flash需求上漲的諸多原因中，手機內建存儲容量的增加確實(shí)是重要關(guān)鍵。隨著(zhù)目前行動(dòng)App體積越來(lái)越大，部分手機游戲的大小已不比單機游戲小。
加上實(shí)時(shí)通訊軟件快速發(fā)展，包括聊天紀錄、語(yǔ)音通話(huà)、圖片檔案等，都讓手機內建儲存需求直線(xiàn)上升。從之前的16GB/32GB，一躍到目前的32GB/64GB內建儲存容量，導致NAND Flash需求翻倍上漲，更別說(shuō)很多高階手機的內建儲存容量直接達128GB，都讓NAND Flash市場(chǎng)供貨更吃緊。
2017年秋季，蘋(píng)果即將發(fā)表的新一代iPhone系列手機中，大家最關(guān)注的就是所謂10周年紀念版。因為，除了搭配OLED屏幕、無(wú)線(xiàn)充電、高屏幕占比等賣(mài)點(diǎn)，據稱(chēng)儲存容量也會(huì )大幅增加以符合其地位，故起步容量就達128GB，相較目前32GB的起步容量要大得多。如此不但大幅增加市場(chǎng)需求，加劇NAND Flash的缺貨問(wèn)題；在市場(chǎng)需求不斷提升，產(chǎn)能又跟不上的情況下，2017年NAND Flash的供貨吃緊恐將難以紓解。
NAND Flash控制芯片大廠(chǎng)群聯(lián)董事長(cháng)潘健成指出，NAND芯片需求相當強勁，主要廠(chǎng)商大多表示未來(lái)三年產(chǎn)能仍無(wú)法滿(mǎn)足市場(chǎng)需求，預期今年第三季NAND Flash會(huì )比今年第一季還缺貨，可能會(huì )是史上最缺貨的一季。
潘健成表示，隨著(zhù)許多人口密度高國家升級智能型手機，云端影像儲存需求持續大量成長(cháng)，因應各項影音需求的數據中心和服務(wù)器持續增長(cháng)，使NAND Flash的需求增長(cháng)速度快到令人無(wú)法想象，但3DNAND Flash在制程從32層切入到64奈米、再到72層、甚至96層的過(guò)程中，良率拉升速度在未來(lái)仍會(huì )遭遇諸多挑戰，預期今年第三季缺貨更會(huì )比第一季還嚴重。本季NAND Flash價(jià)格雖然小幅下滑，但只是通路商見(jiàn)漲幅過(guò)大而獲利拋貨的短暫現象，預期這波NAND Flash價(jià)格將在6月下旬止穩后，再度出現急漲，廠(chǎng)商若手中沒(méi)有充裕貨源，將受到不小的沖擊。
