iPhone用3D NAND進(jìn)度，東芝落后三星兩月
Flash Memory閃存正迎來(lái)10年一度的超級周期，三星、美光、SK海力士提前加價(jià)和原材料廠(chǎng)商簽訂供應合約確保貨源安全，導致全球硅晶圓庫存水位處于歷史低點(diǎn)，需求嚴重供應不足。有分析認為，截至2018年年末為止，12寸硅晶圓價(jià)格很有可能會(huì )比2016年年末調漲40%以上。
供應鏈消息稱(chēng)，全球第二大NAND Flash廠(chǎng)商東芝半導體受出售事件影響，與硅晶圓供應商協(xié)商落后，在快速變化的市場(chǎng)處于不利地位，報導稱(chēng)，在蘋(píng)果iPhone新機采購的3D NAND Flash的研發(fā)上，與三星電子相比，東芝還落后2個(gè)月時(shí)間。在給蘋(píng)果供貨方面，東芝可能因為硅晶圓缺貨而導致交貨延遲，而影響全球NAND行情。
目前，東芝半導體出售事宜還未定論，具體合資方未敲定，時(shí)間一拖再拖，東芝半導體的不確定因素將影響后續存儲器市場(chǎng)行情。
上游硅晶圓漲價(jià)缺貨，整個(gè)NAND Flash產(chǎn)業(yè)轉進(jìn)3D技術(shù)進(jìn)展不順，智能手機內建的存儲器容量不斷提升，下半年，終端品牌廠(chǎng)商成本上漲壓力加劇。華為也對存儲混用事件進(jìn)行了反思，供應鏈將強化存儲器供應商管理，下半年缺貨將不可避免。
群聯(lián)潘董：下半年需求會(huì )1個(gè)月比1個(gè)月強
據臺媒報道，群聯(lián)董事長(cháng)潘健成日前表示，固態(tài)硬盤(pán)(SSD)需求顯著(zhù)轉強，尤其是中國大陸廠(chǎng)商需求最強，主要是第三季度是傳統旺季，加上暑假將至，電玩市場(chǎng)復蘇等因素，使得客戶(hù)拉貨力道逐漸轉強，預期下半年需求會(huì )1個(gè)月比1個(gè)月強。
目前，蘋(píng)果已經(jīng)針對下半年問(wèn)世的新款智能手機備貨，從年初每個(gè)月就開(kāi)始拉貨，規格最高可能是256GB，因為要比對蘋(píng)果規格，安卓陣營(yíng)還在觀(guān)察。如果接下來(lái)安卓陣營(yíng)手機廠(chǎng)商備貨需求涌現，預計NAND Flash將會(huì )缺到年底，缺貨潮恐嚴重到難以想象。
據了解，蘋(píng)果與三家NAND Flash大廠(chǎng)（三星、SK海力士、美光）都有簽訂供貨保障合約，確保下半前新機問(wèn)世有足夠的存儲器可用，現在各家家半導體廠(chǎng)都因為3D NAND良率的問(wèn)題，恐難以交出足夠的貨源給蘋(píng)果。
此前，由于閃存芯片價(jià)格漲太多，中間的代理商認為利潤被壓縮，不愿意出貨，也會(huì )導致存儲器缺貨。
潘健成透露，Q3供給非常辛苦，Q4恐怕比Q3更缺貨，下半年NAND Flash怕會(huì )缺翻天！截至5月底止，群聯(lián)庫存水位逾90億元新臺幣，已經(jīng)有供貨商提前預告，在貨源供應上，第4季的需求將會(huì )較第三季度還吃緊，甚至未來(lái)3年的供給機無(wú)法滿(mǎn)足需求量。
存儲器產(chǎn)能轉移緩慢，合約價(jià)格持續上揚
DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進(jìn)而轉進(jìn)垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)，然而轉換期所造成的產(chǎn)能損失，導致供需失衡，進(jìn)而使合約價(jià)持續上揚。DRAMeXchange預估，在2017年NAND Flash供應都將吃緊的情況下，NAND Flash廠(chǎng)商營(yíng)收將逐季增加。
根據IC Insights的預計，2017年內存(DRAM)價(jià)格漲幅將達到39%，閃存(Flash)漲幅也有望達到25%。這是由于需求增長(cháng)和供給收縮。一方面，國產(chǎn)品牌手機出貨量持續增長(cháng)；另一方面，以三星、海力士為代表的企業(yè)正投入一場(chǎng)存儲器創(chuàng )新競賽，將二維閃存(2D NAND Flash)轉移至三維閃存(3D NAND Flash)的技術(shù)革命，這導致產(chǎn)能增長(cháng)放緩。
在NANDFLASH領(lǐng)域，三星、東芝/閃迪、美光/英特爾、SK海力士幾乎瓜分了全部市場(chǎng)，同時(shí)產(chǎn)能規模方面東芝/閃迪達到了49萬(wàn)片/月，三星40萬(wàn)片/月，美光/英特爾27萬(wàn)片/月，SK海力士21萬(wàn)片/月。
目前，DRAM生產(chǎn)工藝微縮進(jìn)入到20納米節點(diǎn)，工藝制程繼續微縮、良率提升的難度急劇上升，經(jīng)濟效益不好，因此，各大廠(chǎng)對先進(jìn)技術(shù)開(kāi)發(fā)、資本支出持保守態(tài)度。預計到2018年，隨著(zhù)3D NAND Flash產(chǎn)能和良率不斷提升以及新增產(chǎn)能陸續投產(chǎn)，存儲器供應緊張局面有望緩解。
存儲器周期波動(dòng)，企業(yè)應該如何應對？
存儲器周期波動(dòng)還將嚴重影響到系統整機企業(yè)、分銷(xiāo)商和芯片設計企業(yè)的庫存和備貨。尤其是對手機領(lǐng)域如聯(lián)發(fā)科、展訊等提供Turnkey解決方案的芯片企業(yè)來(lái)說(shuō)，影響更為巨大。這些企業(yè)需要提前備齊整機產(chǎn)品所需的所有元器件的用料，一般情況下芯片原廠(chǎng)、分銷(xiāo)商/代理商、系統整機企業(yè)均各備一個(gè)月的貨。存儲器產(chǎn)品價(jià)格的劇烈波動(dòng)，大幅增加了這些企業(yè)的備貨風(fēng)險。例如在功能機時(shí)代，某手機芯片企業(yè)曾提前囤積了大量的套片和512MBDRAM+256MBFLASHMCP芯片，但由于出貨時(shí)市場(chǎng)主流配置變成了1GBDRAM和512MBFLASH，同時(shí)加上存儲器企業(yè)清理庫存和轉產(chǎn)，造成了512MBDRAM和256MBFLASH芯片顆粒價(jià)格暴跌，結果大量的套片和存儲芯片積壓在該手機芯片企業(yè)手中，最終只能大幅虧損清理出去。
存儲器周期波動(dòng)，那么企業(yè)應該如何應對？首先，關(guān)注市場(chǎng)最新的、第一手的行情信息，對采購和生產(chǎn)計劃進(jìn)行動(dòng)態(tài)調整，平衡淡季和旺季下的采購需求。其次，以?xún)r(jià)換量、預測走勢，在保證價(jià)格的前提下保證供貨，和存儲器原廠(chǎng)、代理商、分銷(xiāo)商簽訂合約價(jià)格，避免陷入缺貨臨頭才找貨源的囧境，如果在物料缺貨的情況下，做到以量換價(jià)。第三，很多企業(yè)都是微利運營(yíng)，如果物料漲價(jià)太快，不賣(mài)產(chǎn)品反而更賺。這個(gè)時(shí)候，公司營(yíng)銷(xiāo)部門(mén)應該主動(dòng)降低需求，進(jìn)行戰略調整，減產(chǎn)減銷(xiāo)。最后，供應商與廠(chǎng)商之間都是在合作中不斷的互相篩選和評估，謹慎從一些炒貨的貿易商、代理商處采購物料。
