中芯與燦芯40LL雙核ARM Cortex-A9測試達預期目標

中芯國際集成電路制造有限公司和IC設計公司及一站式服務(wù)供應商燦芯半導體（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)"燦芯半導體"）近日宣布采用中芯國際40納米低漏電工藝的ARM Cortex-A9 MPCore雙核芯片測試結果達到1.3GHz。

 

該測試芯片基于A(yíng)RM Cortex-A9雙核處理器設計，采用了中芯國際的40納米低漏電工藝。處理器包括一個(gè)32KB I-cache和32KB D-cache以及其他所需之存儲器模塊、ARM NEON、調試和追蹤的ARM CoreSight等等， 另外還透過(guò)AMBA? AXI總線(xiàn)集成了內建SRAM與DMA、NOR flash、SDRAM、VGA等等介面。除了高速標準單元庫以外，該測試芯片還采用了中芯國際高速定制存儲器和單元庫（SMIC Performance Enhancement Kit）以提高性能。

 

中芯國際首席商務(wù)長(cháng)季克非表示："燦芯半導體在短短幾個(gè)月內，就能達成此預定目標，證明了燦芯半導體在技術(shù)上與國際先進(jìn)水平相當，同時(shí)也證明了中芯國際工藝的穩定度和市場(chǎng)領(lǐng)導地位。我們三方共同合作提供的40LL綜合平臺，不僅能縮短客戶(hù)產(chǎn)品的上市周期，而且可以減低客戶(hù)在先進(jìn)技術(shù)設計上開(kāi)發(fā)的風(fēng)險。今天，這個(gè)里程碑式的合作再次證明了我們竭誠為客戶(hù)提供行業(yè)領(lǐng)先技術(shù)的決心。 中芯國際將繼續加強先進(jìn)工藝技術(shù)的開(kāi)發(fā)，為高性能的消費類(lèi)電子產(chǎn)品提供極具競爭力的解決方案。"

 

燦芯半導體總裁兼首席執行官職春星博士指出："ARM Cortex-A9雙核測試芯片的實(shí)測結果達到了我們的預期目標，這證明燦芯半導體在技術(shù)上完全有實(shí)力達到目前業(yè)界需求。此外，我們很快將在同一工藝上開(kāi)始下一顆A9測試芯片的流片，而這顆芯片將達到更高的性能。燦芯半導體致力于為客戶(hù)提供最先進(jìn)的平臺和解決方案，我們也一直在朝這個(gè)目標努力，相信在中芯國際、ARM以及其他合作伙伴的支持下，必將實(shí)現我們的目標，為客戶(hù)帶來(lái)巨大價(jià)值！"

 

ARM中國區總裁吳雄昂說(shuō)："來(lái)自燦芯半導體、中芯國際和ARM持續不斷的緊密合作所達成的里程碑是產(chǎn)業(yè)絕佳范例，展示出我們如何共同合作推陳出新，推動(dòng)下一代智能連網(wǎng)設備的核心技術(shù)！ARM相當重視與燦芯半導體及中芯國際的合作關(guān)系，并承諾將通過(guò)基于A(yíng)RM架構的技術(shù)，為我們共同的客戶(hù)提供最先進(jìn)的設計與生產(chǎn)平臺，進(jìn)而符合他們在功耗、性能與上市周期的需求。"