自進(jìn)入2017 年之后,指紋識別行業(yè)站到了“產(chǎn)業(yè)變革”的時(shí)間節點(diǎn)上。在光學(xué)式和超聲波式指紋識別技術(shù)方案還不夠成熟,既要實(shí)現正面隱藏式指紋識別,又不得不采用電容式方案的背景之下,盲孔電容式指紋識別就成為了近期最有前景的under glass 方案。電子制作模塊
全球指紋識別芯片的產(chǎn)業(yè)鏈構成
指紋識別芯片的產(chǎn)業(yè)鏈也可以分為兩大部分,一部分為芯片傳感器電路方案和算法設計,另一大重要環(huán)節就是指紋識別芯片傳感器的制造、封裝以及模組制造:
1、芯片設計環(huán)節
此前國際電子商情在《指紋識別技術(shù)原理及全球芯片廠(chǎng)商大盤(pán)點(diǎn)》一文中對指紋識別芯片設計公司有詳盡的報道,有興趣的讀者可點(diǎn)擊鏈接閱讀。
2、芯片制造環(huán)節
主要有中芯國際、臺積電、聯(lián)電、Magnachip、華潤上華、世界先進(jìn)、華虹宏力、格羅方德等大型晶圓制造廠(chǎng)。
3、封裝環(huán)節
根據傳感器方案而定,如按壓式藍寶石方案采用晶圓級封裝,由國內華天科技、晶方科技、長(cháng)電科技封裝,碩貝德科陽(yáng)的3D封裝也屬于此種工藝。
4、模組制造
模組制造與攝像頭模組有相近之處,目前歐菲光、碩貝德、丘鈦科技等已積極布局。在封裝與模組整合的趨勢下,封裝環(huán)節(華天科技、晶方科技等)、模組環(huán)節(歐菲光等)有互相滲透的趨勢。
指紋識別方案發(fā)展趨勢
眾所周知,指紋識別在手機上的位置,主流為正面和背面,個(gè)別方案是放在側面。比如蘋(píng)果iPhone 系列與三星Galaxy S 系列是集成在正面Home 鍵里,小米Note 3、華為Mate 8等放在了手機背部,LG V10 植入到手機側面的電源鍵里,努比亞Z9 也是放在手機側面。
從體驗上來(lái)看,蘋(píng)果正面指紋識別的體驗好于安卓陣營(yíng)的背部指紋識別方案。但由于A(yíng)uthenTec 被蘋(píng)果收購之后停止對外服務(wù),恰好 AuthenTec 在正面電容按壓式指紋識別領(lǐng)域積累了大量的核心專(zhuān)利,同時(shí)許多安卓智能手機使用的是虛擬Home 鍵,不具有實(shí)體Home 鍵,因此多數安卓智能機的指紋識別是位于手機背面的,包括華為、OPPO、VIVO 等主力手機廠(chǎng)。
1、盲孔式Under Glass指紋識別方案
自進(jìn)入2017 年之后,隨著(zhù)即將發(fā)布的iPhone 8采用屏下Touch ID指紋識別解決方案,安卓陣營(yíng)的手機廠(chǎng)商勢必也會(huì )逐漸采用正面隱藏式指紋識別方案。在光學(xué)式和超聲波式指紋識別技術(shù)方案還不夠成熟,既要實(shí)現正面隱藏式指紋識別,又不得不采用電容式方案的背景之下,盲孔電容式指紋識別就成為了近期最有前景的under glass 方案。
基于電容式原理的三種隱藏式方案是:第一種(Under Cover Glass)是將指紋Sensor 置于整個(gè)手機玻璃面板下面;第二種(In Glass)更是將Sensor 融合進(jìn)玻璃之中(如IDEX 的方案);第三種(Under Glass Cutout)則將玻璃面板開(kāi)盲孔(有正面和背面兩種)至0.2-0.3mm 深,然后在玻璃之下放入Sensor(如匯頂IFS、FPC、LG Innotek 的方案)。
第一種方案(Under Cover Glass)識別精確存在較大的問(wèn)題,超出電容原理極限,效果不理想。因為目前智能手機正面蓋板玻璃厚度普遍超過(guò)0.5mm,如果是2.5D 玻璃的話(huà)厚度超過(guò)0.7mm,而根據電容式指紋識別的原理,如果在芯片上方存在的蓋板玻璃厚度超過(guò)0.3mm 時(shí),其識別精確度將大幅降低,因為信號在穿透玻璃時(shí)會(huì )發(fā)生強烈的衰減。盡管多家廠(chǎng)商在算法方面極力優(yōu)化,提高信號的信噪比,但是該方案仍然難以達到理想的效果。
第二種方案(In Glass)具有非常高的技術(shù)難度,中短期內不具備量產(chǎn)的條件。需要將指紋識別芯片集成在蓋板玻璃內部,這需要芯片商與玻璃廠(chǎng)等多個(gè)環(huán)節的通力合作,中短期內大規模量產(chǎn)是不現實(shí)的。
第三種方案盲孔式Under Glass 被普遍看好,具有較大的可行性。匯頂科技、FPC 與LG Innotek 等廠(chǎng)商的力推的本方案,是在蓋板玻璃上方或下方挖槽,直接減薄玻璃的厚度至0.2-0.3mm,此時(shí)臵于玻璃下方的指紋芯片,信號可以穿透玻璃,從而實(shí)現較高的識別精度。相比于第一種方案,本技術(shù)方案識別精度遙遙領(lǐng)先,相比于第二種方案,本技術(shù)方案加工難度較低。
目前Under Glass 方案的難點(diǎn)在于:首先玻璃本身非常脆弱,如果挖槽,會(huì )降低整塊玻璃的強度,加大玻璃加工的難度,這對康寧、AGC、肖特等玻璃原材料供應商和藍思、伯恩、星星科技等玻璃加工商而言,具有一定的挑戰性;為了提高信號的信噪比,減少信號在塑封材料中的損失,芯片的封裝需要采用先進(jìn)的TSV 技術(shù)(可有效縮減芯片厚度);盲孔的深度及平整度公差很難控制,而采用TSV 的指紋芯片需要直接與玻璃貼合,因此對于玻璃加工而言有較高的技術(shù)要求。
2016 年12 月,采用匯頂IFS 技術(shù)的聯(lián)想ZUK Edge 手機發(fā)布。2017 年2 月,華為發(fā)布全新旗艦機P10,部分手機采用了匯頂的IFS 技術(shù),這表明盲孔電容式UnderGlass 指紋技術(shù)已經(jīng)具備量產(chǎn)所需的成熟度。
2、正面蓋板“超薄式指紋識別方案
前文提到,目前電容式Under Glass 方案在玻璃加工方面存在非常大的困難,即使已經(jīng)有商業(yè)化的產(chǎn)品推出(如聯(lián)想ZUK Edge 和華為P10),但是產(chǎn)品的良率和成本問(wèn)題仍然是很大的瓶頸。
與此同時(shí),基于現在主流的正面開(kāi)通孔式方案的升級產(chǎn)品——可以嵌入玻璃的“超薄式”正面玻璃/陶瓷蓋板模組的指紋識別,由于可以提高屏占比,今年也可能被一些旗艦機型采用,也是重要趨勢之一。
采用“超薄式”正面玻璃/陶瓷蓋板的指紋識別模組,可以有效縮小整個(gè)模組的體積,尤其是厚度,從而使得整個(gè)模組的厚度不超過(guò)蓋板玻璃。這樣的話(huà),手機的顯示屏幕便可以向下拓展,與指紋Home 鍵的距離更加緊密(甚至可以覆蓋Home 鍵位臵),從而大幅提升整個(gè)屏幕的屏占比。
目前,該方案已經(jīng)開(kāi)始在多家手機廠(chǎng)商測試,有望成為今年的趨勢之一。由于傳統的wire bonding 封裝是難以有效縮減芯片厚度的,采用TSV 封裝可以解決該問(wèn)題。
電容式Underglass 方案與正面蓋板“超薄式”方案產(chǎn)業(yè)鏈分析
現階段,開(kāi)通孔的指紋識別方案仍然是主流,按照正面蓋板材料的不同,可以分為Coating(鍍膜)、藍寶石蓋板、玻璃蓋板和陶瓷蓋板四類(lèi)。
Coating 方案是直接在芯片正面鍍膜(高光涂料),信號強,成本低,缺點(diǎn)是容易損壞,不耐磨;藍寶石方案美觀(guān),耐磨,但是加工難度大,成本高,用于中高端手機上;玻璃方案被眾多中低端手機所采用,成本比藍寶石低許多;陶瓷(氧化鋯)方案最近開(kāi)始流行,與藍寶石相比其強度大,成本低,產(chǎn)能良率還存在一定問(wèn)題。
從產(chǎn)業(yè)鏈結構方面來(lái)說(shuō),上述四種方案是類(lèi)似的,區別就在于蓋板材料的不同。我們以藍寶石方案代表——iPhone5s 的指紋識別為例來(lái)說(shuō)明,主要的模組結構分為:藍寶石蓋板、金屬環(huán)、粘合材料、傳感器芯片、觸控開(kāi)關(guān)、電路板等。
圖:蘋(píng)果iPhone5s 指紋識別模組拆解
電容式Under Glass 指紋識別方案相比于目前的指紋識別會(huì )有非常大的變化。不需要專(zhuān)門(mén)的藍寶石、玻璃、陶瓷等蓋板材料,不需要金屬環(huán),不需要觸控開(kāi)關(guān),不需要芯片正面的粘合材料;芯片制造并不會(huì )發(fā)生大的變化,目前的8英寸0.18um 工藝可以滿(mǎn)足需求;但是芯片設計和芯片封裝,以及玻璃加工的重要性越發(fā)明顯。
圖:藍寶石的指紋識別模組成本結構
1、芯片封裝地位提升,TSV封裝將成為必然之選
目前,大多數指紋識別方案,芯片采用wire bonding工藝進(jìn)行封裝,技術(shù)成熟,成本低。由于表面需要與蓋板材料貼合,因此在芯片的正面會(huì )進(jìn)行塑封處理,將金屬引線(xiàn)掩埋起來(lái),形成平整的表面。塑封的存在會(huì )影響信號識別的精度,同時(shí)增加芯片的厚度,但是對于如今主流的開(kāi)孔指紋形式來(lái)說(shuō),問(wèn)題并不大,因為芯片+蓋板材料(或Coating)直接與手指接觸,仍然可以實(shí)現較好的指紋識別體驗。
圖:目前主流的正面開(kāi)孔指紋芯片封裝-wire bonding
2016年以來(lái),一些手機廠(chǎng)商開(kāi)始向蘋(píng)果學(xué)習,對指紋識別芯片進(jìn)行小規模的trench或TSV封裝,如華為Mate9 Pro采用的是trench+TSV封裝工藝(比直接TSV工藝容易一些)。因為先進(jìn)封裝直接的好處就是信號變強,指紋識別精度體驗更佳,更重要的是芯片厚度變薄,從而縮減指紋模組的高度,可以擴大屏占比。 前文提到,電容式Underglass 方案與正面蓋板“超薄式”方案是指紋識別兩個(gè)重要的趨勢。一方面,對于 “超薄式”正面玻璃/陶瓷蓋板的指紋識別方案,由于玻璃非常薄,傳統的wire bonding封裝難以有效縮減芯片厚度,采用TSV封裝可以解決該問(wèn)題。
另一方面,對于電容式Under Glass方案——在蓋板玻璃的正面或背面開(kāi)盲孔,芯片是直接內置于蓋板玻璃之下的,本來(lái)電容信號穿透玻璃就已經(jīng)存在較大困難,如果還有塑封材料的話(huà),信號質(zhì)量將更加堪憂(yōu)。如果不采用塑封的話(huà),wire bonding的鍵合線(xiàn)直接暴露在外,會(huì )導致芯片正面不夠平整,是無(wú)法與蓋板玻璃緊密貼合的。采用TSV封裝可以解決該問(wèn)題。因此,我們認為T(mén)SV封裝將取代wire bonding是必然的,“TSV+SiP”的封裝工藝將成為整個(gè)指紋芯片的關(guān)鍵,具備先進(jìn)的TSV和SiP封裝工藝的廠(chǎng)商將受益。
圖:TSV封裝
圖:正面盲孔Underglass 指紋識別TSV 封裝結構
2、玻璃加工至關(guān)重要,工藝難度大,良率問(wèn)題是瓶頸
對于電容式Under Glass指紋識別,目前非常大的困難在于玻璃挖槽的良率問(wèn)題,因為現如今的手機正面2D玻璃非常?。?.5mm左右),2.5D玻璃0.7-0.8mm,直接進(jìn)行挖槽的話(huà),極容易造成玻璃的損壞。
圖:盲孔式指紋識別玻璃加工要求高
手機越來(lái)越薄是趨勢,這也是手機的重要賣(mài)點(diǎn),因此各大廠(chǎng)商競相追逐更加薄的蓋板玻璃,目前普通的手機2D蓋板玻璃厚度在0.5mm左右(2.5D玻璃為0.7mm左右)。根據我們前文的分析,如果采用玻璃挖盲孔(正面或背面)的方式來(lái)實(shí)現指紋識別的話(huà),為了保證電容式指紋識別的效果,需要將玻璃挖出0.2-0.3mm的方形盲孔,同時(shí),玻璃在減薄之后,剩下的部分厚度僅為0.2-0.3mm,玻璃槽面的平整度、直角的弧度、鍥邊的垂直度對于指紋識別的最終效果影響極大,是最關(guān)鍵的幾個(gè)因素,這對于玻璃加工的要求非常之高,遠高于目前玻璃加工企業(yè)的良率保證水平。
圖:CNC 精雕機用于玻璃開(kāi)孔和磨邊
對手機玻璃進(jìn)行開(kāi)孔和磨邊的主要設備是CNC精雕機,目前大多數CNC產(chǎn)品的尺寸精度為0.01mm,崩邊量不大于0.01mm,如此的精度對于玻璃挖盲孔而言是不夠的。
3D玻璃受到追捧,已經(jīng)開(kāi)始大規模應用。智能手機外殼材料經(jīng)歷了塑料、金屬、玻璃的發(fā)展過(guò)程。目前主流的旗艦手機大多正面采用2D/2.5D玻璃、背面為金屬機身。三星2016年發(fā)布的Galaxy S7 Edge采用了3D曲面玻璃的外觀(guān)設計,被稱(chēng)為是當前顏值最高的手機,并受到了市場(chǎng)的熱捧,一季度Galaxy S7/Edge銷(xiāo)量達到1000萬(wàn)臺。
2D玻璃蓋板或外殼是普通的平面玻璃,而2.5D玻璃蓋板或外殼正面是平的,但邊緣部分向下凹陷成一個(gè)弧形,3D玻璃蓋板或外殼的整個(gè)正面都會(huì )發(fā)生彎曲,凸出向外。
對于2.5D和3D來(lái)說(shuō),在玻璃上挖盲孔是更加困難的。普通的2D玻璃是完全平面的,而2.5D和3D玻璃時(shí)經(jīng)過(guò)熱彎處理之后,玻璃的厚度已經(jīng)變的不均勻,在這種情況下,繼續進(jìn)行挖孔的話(huà),更加難以控制槽內的平整度和垂直度。
綜上所述,我們認為,在電容式Under Glass方案中,玻璃加工的重要性越發(fā)的明顯,玻璃加工的良率將直接影響指紋芯片的效果和成本,具備高品質(zhì)、高技術(shù)玻璃加工的公司將顯著(zhù)受益。
3、芯片設計和算法是識別效果的核心因素
由于電容式識別方案在原理上,其信號是難以穿透玻璃的。盡管指紋識別芯片設計公司詳盡一切辦法(包括成功添加射頻功能),使得指紋信號勉強可以突破0.1mm 厚度的藍寶石/玻璃/陶瓷,但是檢測到的信號是非常弱的,識別的算法仍然是至關(guān)重要的。
對于電容式Under Glass 方案而言,指紋信號需要穿透的玻璃厚度為0.2-0.3mm,傳統的電容式算法是無(wú)法回收足夠信噪比的信號。除了要提升驅動(dòng)IC 的信噪比外,軟件算法的know how 更重要。算法方面的另一個(gè)難點(diǎn)則是由于圖像距離變遠,圖像是比較虛的,如何讓圖像變得更清晰?這里涉及圖像預處理的問(wèn)題;另一個(gè)則是圖像匹配的問(wèn)題,由于圖像質(zhì)量比前一代的要差,圖像匹配就會(huì )變得更困難,這里算法就更復雜了。
例如,國內的匯頂科技,就針對IFS 方案專(zhuān)門(mén)開(kāi)發(fā)了自適應深度傳感技術(shù)和可變增強圖像處理技術(shù)。
圖:匯頂科技針對IFS 的自適應深度傳感技術(shù)
未來(lái)超聲波式指紋識別產(chǎn)業(yè)鏈分析
對于未來(lái)的光學(xué)式Under Display 指紋識別方案,產(chǎn)業(yè)鏈與電容式方案將大為不同。出于信號信噪比的考慮,為了與手機顯示屏中的RGB 可見(jiàn)光相區分,同時(shí)減少環(huán)境光線(xiàn)的干擾,光學(xué)式指紋識別將采用近紅外光的光源。類(lèi)似于虹膜識別、主動(dòng)式人臉識別的產(chǎn)業(yè)鏈結構,整個(gè)產(chǎn)品的核心除了算法之外,在硬件端最重要的變化,就是多了近紅外光源、光學(xué)器件(RGBIR 濾色片)、圖像傳感器等。因此近紅外LED 光源提供商、光學(xué)濾色片供應商和光學(xué)圖像傳感器廠(chǎng)商將顯著(zhù)受益于本方案。
整個(gè)超聲波指紋識別產(chǎn)業(yè)鏈可以劃分為三大部分:算法、硬件和模組制造。
圖:超聲波指紋識別產(chǎn)業(yè)鏈結構
1、算法方面
成熟的技術(shù)方案主要掌握在少數大廠(chǎng)手中,如高通旗下的Ultra-Scan,與蘋(píng)果合作的Sonavation,芯片大廠(chǎng)Invensense,國內公司還不具備相應的技術(shù)實(shí)力。
2、硬件方面
主要包括MEMS 超聲波傳感器、ASIC 芯片、柔性PCB 板和IC 分立器件等。其中,MEMS 超聲波傳感器主要部件為超聲波發(fā)射層與接收層(壓電材料)和TFT(薄膜晶體管)電路層。
(1)壓電材料
目前,高通采用的是PVDF 有機聚合物壓電材料,InvenSense 采用的是AlN 壓電陶瓷,Sonavation 采用的也是壓電陶瓷材料。PVDF 的功耗低,適合移動(dòng)終端,但是效率和頻率都低于壓電陶瓷材料,器件性能一般。而壓電陶瓷材料,如AlN、PZT、ZnO等,產(chǎn)業(yè)鏈相對成熟,器件的響應效率高。其中,AlN 聲速高、熱導率高、損耗低、可以與CMOS 工藝兼容,因此比較利于實(shí)現聲表面波器件的高頻化、高功率化、高集成化,是潛力材料,現在的問(wèn)題就是相比于PZT、ZnO 的壓電系數偏低。
在壓電陶瓷材料方面,國內公司有三環(huán)集團、捷成科創(chuàng )等,其中在最佳的AlN 壓電材料方面,目前國內參與的公司或機構較少,清華大學(xué)微電子學(xué)院在A(yíng)lN 方面具備一定實(shí)力,北京中科漢天下正在建設AlN 生產(chǎn)線(xiàn),計劃用于FBAR 濾波器。
(2)MEMS 制造
MEMS 超聲波傳感器是由大量的超聲波傳感器陣列構成,技術(shù)難度大,壁壘高,主要通過(guò)MEMS 和CMOS 工藝結合的形式進(jìn)行制造和封測。因此具備MEMS 設計、制造和封測技術(shù)的廠(chǎng)商將顯著(zhù)受益這一些市場(chǎng)。
目前Invensense 的MEMS 超聲波傳感器主要是新加坡IME+格羅方德代工,其中新加坡IME 負責AlN 壓電陶瓷的研發(fā),格羅方德負責MEMS 的量產(chǎn)。
(3)ASIC 芯片
由于具備3D 指紋圖像信息采集,甚至有望實(shí)現皮膚組織結構和血管內血流信息采集,因此超聲波指紋識別對圖像的處理要求更高,這使得高通等公司直接在其技術(shù)方案里集成了專(zhuān)用的ASIC 芯片。
3、模組制造方面
由于超聲波指紋識別技術(shù)還沒(méi)有大規模商業(yè)化普及,高通的技術(shù)方案剛剛被小米采用。因此,在模組制造方面,國內公司還不具有相關(guān)經(jīng)驗。但是,在電容式指紋識別領(lǐng)域,國內公司舜宇光學(xué)、歐菲光、丘鈦科技、碩貝德等已經(jīng)積累了豐富的指紋識別模組制造經(jīng)驗,有望在未來(lái)的超聲波指紋識別市場(chǎng)中受益。