三星表示，10LPP技術(shù)針對低功耗產(chǎn)品所研發(fā)，相較于第1代的10LPE在制程可使性能提高10%、功耗降低15%。該制程延續于已量產(chǎn)中的10LPE制程，將大幅縮短從開(kāi)發(fā)到大量生產(chǎn)的準備時(shí)間，并提供更高的初期生產(chǎn)良率，因此更具有市場(chǎng)競爭優(yōu)勢。

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三星稱(chēng)，預計將于2018年首季推出采用10LPP制程技術(shù)制造的電子產(chǎn)品。因為在晶圓處理上和10nm LPE有跟多共同點(diǎn)，所以三星承諾不僅不會(huì )有跳票的情況發(fā)生，同時(shí)也會(huì )擴展客戶(hù)數量。

為此，三星位于華城（Hwaseong）的S3工廠(chǎng)也為量產(chǎn)做好了準備，目前正準備加速生產(chǎn)10納米及其以下制程技術(shù)。

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據了解，華城S3工廠(chǎng)是三星晶圓代工業(yè)務(wù)的第3座晶圓廠(chǎng)，其它兩座分別是位于韓國京畿道的器興(Giheung)的S1以及位于美國奧斯汀的S2。

根據規劃，三星的7納米FinFET制程技術(shù)與EUV(ExtremeUltraViolet)技術(shù)也預計將在S3晶圓廠(chǎng)中于2018年開(kāi)始大量生產(chǎn)。

另?yè)﨓ngadget、ZDNet報道，由三星代工的高通驍龍845極大可能會(huì )運用10LPP技術(shù)，三星Galaxy S9搭載的Exynos 9810處理器將會(huì )使用該工藝。

有消息稱(chēng)，三星8nm LPP制程工藝的技術(shù)驗證工作也已完成，將于不久之后大規模量產(chǎn)。三星表示，相比于 10nm 制程，全新8nm制程的芯片不僅面積能縮減 10%，功耗也能降低10%。該工藝正式投產(chǎn)后，將會(huì )定位于高端旗艦市場(chǎng)。

有媒體報道稱(chēng)，三星和高通也在推進(jìn)8nm工藝，首款產(chǎn)品（驍龍855或者服務(wù)器芯片）將在明年秋季推出。