集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，由于內存價(jià)格延續呈現超過(guò)6個(gè)季度的上漲，造成數家中國智能手機品牌廠(chǎng)不堪成本壓力，因此在去年年底，國家發(fā)改委約談三星半導體，使得第一季行動(dòng)式內存的漲幅有所收斂。有消息顯示，韓國政府近日將攜三星電子與國家發(fā)改委簽署備忘錄，內容將涵蓋在半導體領(lǐng)域的相關(guān)合作，其中包含擴大在中國投資以及技術(shù)合作的可能性。

近年來(lái)，中國成為內存產(chǎn)品的最大出?？?，不管是國內需求或是外銷(xiāo)，透過(guò)中國所購買(mǎi)的內存比重持續增加，對于中國市場(chǎng)情緒的變化，三星必須給予尊重及反應。因此，DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，此次事件將可能對未來(lái)內存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生以下兩種影響：

一、DRAM雖仍呈供貨吃緊狀態(tài)，但未來(lái)漲幅將受抑制

就DRAM領(lǐng)域來(lái)看，目前供貨商在生產(chǎn)行動(dòng)式內存的獲利遠低于其他類(lèi)別產(chǎn)品，而受到第一季智能手機低迷需求的影響，再加上國家發(fā)改委的動(dòng)作，預期未來(lái)價(jià)格漲幅將更受抑制。展望未來(lái)，供貨商預期會(huì )持續將現有的產(chǎn)能從行動(dòng)式內存轉向更高毛利產(chǎn)品，造成其他類(lèi)別產(chǎn)品的價(jià)格漲幅也進(jìn)一步收斂。

二、供貨商為避免價(jià)格漲幅過(guò)高，新增產(chǎn)能的可能性增加

其次，在NAND Flash領(lǐng)域，2018年由于3D NAND Flash的比重持續提高，因此供貨吃緊的狀態(tài)較去年大幅改善。然而，觀(guān)察DRAM供給，由于目前并未有新增產(chǎn)能貢獻位元產(chǎn)出，造成2018年仍屬供不應求狀態(tài)。DRAMeXchange分析，為應對中國方面對于內存價(jià)格持續上漲所表達的強烈不滿(mǎn)，對供貨商而言，在漲價(jià)受到抑制、成本下降不易的考慮下，新增產(chǎn)能的可能性與時(shí)程皆可能轉趨積極，透過(guò)增加產(chǎn)能來(lái)貢獻位元產(chǎn)出不僅可以維持價(jià)格穩定，也希望藉此維持該企業(yè)在DRAM產(chǎn)品的獲利水平。