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隨著(zhù)汽車(chē)自動(dòng)駕駛的級別不斷提升至達到無(wú)人干預的級別，車(chē)聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)正在爆發(fā)，預計到2020年汽車(chē)市場(chǎng)將會(huì )超越PC成為僅次于手機的第二大終端應用市場(chǎng)。由于車(chē)載導航系統、娛樂(lè )系統、行車(chē)記錄儀、ADAS輔助駕駛以及未來(lái)的無(wú)人駕駛、5G通信應用的加入，需要處理和連接越來(lái)越大數據量的汽車(chē)正逐漸成為一個(gè)移動(dòng)的服務(wù)器，以汽車(chē)駕駛輔助系統ADAS為例，由于需要大容量存儲和高效運算支撐系統的快速反映，特別是高清的圖像傳輸，對于存儲產(chǎn)品的容量、性能、可靠性也提出了越來(lái)越高的需求。以2017年汽車(chē)市場(chǎng)對Memory存儲的需求計算，平均每輛車(chē)對Mobile DRAM平均容量需求大約在8GB，對NAND Flash平均容量需求在25GB左右。預計到2020年每輛車(chē)所產(chǎn)生的數據存儲量對Mobile DRAM平均容量需求將增加到30GB以上，對NAND Flash平均容量需求更是增加到200GB，較2017年暴增10倍。無(wú)人駕駛汽車(chē)由于增加了大量的傳感系統以及需要在本地存儲大數據進(jìn)行機器學(xué)習，預計對NAND Flash存儲量將在TB級以上，對NAND Flash需求更大。據了解，目前谷歌的無(wú)人駕駛汽車(chē)每秒收集750MB的數據，每小時(shí)可以產(chǎn)生1TB的有用數據量，將成為移動(dòng)的數據中心，對大容量SSD需求將更大。

2018年內存還會(huì )繼續缺貨嗎？

smc03271053美光科技嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部副總裁Kris Baxter

那么這種情況下，從2016年蔓延到2018年的存儲緊缺情況會(huì )加劇嗎？答案是會(huì )繼續。在剛剛過(guò)去的慕尼黑電子展上，美光科技嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部副總裁KRIS BAXTER對《國際電子商情》記者表示，預計2018年DRAM產(chǎn)能預計會(huì )有20~25%的增長(cháng)，Nand產(chǎn)能將保持40~45%的增長(cháng)率，2018年的上半年可能會(huì )類(lèi)似于2017年，下半年可能會(huì )有一些好轉。之所以Nand產(chǎn)能增長(cháng)要超過(guò)DRAM,主要原因是DRAM的提升帶來(lái)的用戶(hù)體驗不夠大，而提升Nandflash則會(huì )帶來(lái)完全不同的體驗。

存儲緊缺的罪魁禍首有很多，首先是來(lái)自于大數據服務(wù)器以及智能手機對存儲需求的增長(cháng)，根據集邦咨詢(xún)的分析，2018年服務(wù)器內存市場(chǎng)增幅有望達到36%，遠高于2017年23%的增速。車(chē)用存儲增速雖然很快，但由于3D NAND剛推向市場(chǎng)應用，汽車(chē)廠(chǎng)商顧慮安全因素還不敢大量備貨，并且汽車(chē)的品質(zhì)測試10萬(wàn)公里，3D NAND的應用需要1年左右測試時(shí)間，大概在2年后3D NAND才會(huì )進(jìn)入到汽車(chē)前裝主存儲中，這樣會(huì )導致2D NAND的供應日趨緊張。對于智能汽車(chē)廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，平均售價(jià)至少在3萬(wàn)美金以上，對于Nand Flash的成本并不敏感，相對而言他們更在意產(chǎn)品性能、品質(zhì)、交期等因素，正因如此不少Flash 原廠(chǎng)因為利潤和前景的驅動(dòng)將更多2D NAND產(chǎn)能供應給汽車(chē)廠(chǎng)商。

美光為何能占據車(chē)用內存40%份額？

作為全球創(chuàng )新內存和存儲解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導者，美光科技旗下包括Micron®（美光）、Crucial®（英睿達）和Ballistix®（鉑勝）三大存儲品牌。成立于1978年的美光科技簽訂的第一份合約就是為 Mostek Corporation 設計 64K 存儲芯片。2017年汽車(chē)存儲的市場(chǎng)規模大約在22億美元，作為車(chē)用內存的領(lǐng)導者，美光目前占到全球汽車(chē)內存40%的份額。

據了解，美光目前分為四個(gè)業(yè)務(wù)單元：計算機與網(wǎng)絡(luò )業(yè)務(wù)、存儲業(yè)務(wù)、移動(dòng)業(yè)務(wù)、嵌入式業(yè)務(wù)。根據美光科技2017年11月30日發(fā)布的2018財年Q1財報顯示，計算機與網(wǎng)絡(luò )業(yè)務(wù)營(yíng)收32.1億美元，占總營(yíng)收47%，存儲業(yè)務(wù)得益SSD市場(chǎng)份額的增加，營(yíng)收13.8億美元，占總營(yíng)收20%，移動(dòng)業(yè)務(wù)營(yíng)收13.7億美元，占總營(yíng)收20%，嵌入式業(yè)務(wù)得益于汽車(chē)與邊緣設備的強勁需求，營(yíng)收8.3億美元，占總營(yíng)收12%。若按照DRAM和NAND區分，其DRAM業(yè)務(wù)占美光2018財年Q1總營(yíng)收的67%，約45.56億美元的營(yíng)收額，NAND業(yè)務(wù)則占27%，約18.36億美元的營(yíng)收額。

這里值得一提的是車(chē)用存儲是劃歸到嵌入式業(yè)務(wù)而非存儲業(yè)務(wù)中的。雖然目前汽車(chē)電子呈現出某些消費類(lèi)產(chǎn)品的特性，另外越來(lái)越多的新能源玩家如特斯拉等加入到汽車(chē)領(lǐng)域中來(lái)，但是汽車(chē)對于安全和品質(zhì)的需求是一樣的。特別是未來(lái)隨著(zhù)無(wú)人駕駛、電動(dòng)車(chē)、共享汽車(chē)等應用的發(fā)展，對汽車(chē)的質(zhì)量、生命周期更是提出了更高要求。實(shí)際上，美光在汽車(chē)領(lǐng)域耕耘已經(jīng)超過(guò)25年。“我們有25年的歷史，很難有供應商有這么長(cháng)期的給客戶(hù)的承諾，包括質(zhì)量和服務(wù)等等，這是我們的一個(gè)很大的優(yōu)勢。”KRIS BAXTER表示， 除了多年的積淀，美光也在全球都擁有客戶(hù)實(shí)驗室，可以幫助客戶(hù)一起開(kāi)發(fā)創(chuàng )新產(chǎn)品，幫助他們迅速將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。

高速率、大容量，如何滿(mǎn)足下一代車(chē)用存儲需求？

據介紹，美光科技不僅在DRAM、Nand上有新品，包括Norflash上也有新的產(chǎn)品。據介紹，目前高級駕駛輔助系統應用將需要512GB/s–1024GB/s的帶寬來(lái)支持第3級和第5級自動(dòng)駕駛功能。為了滿(mǎn)足5G網(wǎng)絡(luò )、高清地圖和黑匣子的非易失性存儲要求，美光科技率先推出了符合汽車(chē)行業(yè)要求的PCIe/NVMe內存解決方案，能滿(mǎn)足性能和存儲方面的需求。能夠滿(mǎn)足自動(dòng)駕駛存儲帶寬需求的產(chǎn)品有兩種：GDDR6和HBM2。美光科技認為GDDR6是汽車(chē)行業(yè)所需要的可滿(mǎn)足帶寬要求并解決可靠性和溫度范圍限制問(wèn)題的最佳選擇。據了解，GDDR存儲是基于JEDEC標準的存儲，目前已實(shí)現量產(chǎn)，廣泛用于游戲和視頻圖形應用。美光科技正推出汽車(chē)級GDDR6內存系列，該系列產(chǎn)品需要滿(mǎn)足嚴格的汽車(chē)質(zhì)量要求。HBM2在芯片解決方案中高度集成（堆疊為4層或8層，封裝在硅插入器中），可以減少解決方案的空間占用。但由于采用堆疊和硅插入器，HBM2的成本更加高昂，而且在惡劣的汽車(chē)環(huán)境中很難保證正常運行。

此外，針對未來(lái)的5G大數據通信傳輸的需求，美光也推出了一種多芯片封裝產(chǎn)品，類(lèi)似于手機應用中的MCP技術(shù)，將Nand、LPPDRAM封裝到一起。除此之外，美光為了供應汽車(chē)ADAS、儀表盤(pán)、信息娛樂(lè )系統需要的DDR3/4和LPDDR3/4，還增加eMMC 5.0量產(chǎn)，提供8GB-128GB容量以應對大容量存儲的需求，以及高端需求的SSD。不過(guò)美光的競爭對手三星正在將手機領(lǐng)域的eUFS技術(shù)引入汽車(chē)領(lǐng)域，這種技術(shù)將取代eMMC 5.1閃存帶來(lái)更高的速率，要滿(mǎn)足ADAS和新一代儀表板以及信息娛樂(lè )系統的需求。KRIS BAXTER對此表示，隨著(zhù)汽車(chē)電子市場(chǎng)的不斷發(fā)展將會(huì )帶來(lái)新技術(shù)的創(chuàng )新，當越來(lái)越多的投資進(jìn)入存儲市場(chǎng)，勢必會(huì )有越來(lái)越多下一代新技術(shù)出現，未來(lái)美光也將不斷地在新技術(shù)和新產(chǎn)品上加大創(chuàng )新力度。就在2018年2月26日，美光發(fā)布了為手機打造的UFS 2.1標準閃存，容量設計為64GB、128GB和256GB。顆粒選用TLC，3D 64層堆疊，美光強調基于人工智能技術(shù)進(jìn)行了APP打開(kāi)、運行有關(guān)的性能優(yōu)化。新閃存將于今春發(fā)貨，2018年下半年開(kāi)始出現在智能機中。相信未來(lái)美光UFS產(chǎn)品進(jìn)入汽車(chē)領(lǐng)域的時(shí)間也不遠了。