集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，中國存儲器產(chǎn)業(yè)目前以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(cháng)江存儲、專(zhuān)注于行動(dòng)式內存的合肥長(cháng)鑫，以及致力于利基型內存晉華集成三大陣營(yíng)為主。以目前三家廠(chǎng)商的進(jìn)度來(lái)看，其試產(chǎn)時(shí)間預計將在2018年下半年，隨著(zhù)三大陣營(yíng)的量產(chǎn)的時(shí)間可能皆落在2019年上半年，揭示著(zhù)2019年將成為中國存儲器生產(chǎn)元年。

DRAMeXchange指出，從三大廠(chǎng)目前布局進(jìn)度來(lái)看，合肥長(cháng)鑫的廠(chǎng)房已于去年6月封頂完工，去年第三季開(kāi)始移入測試用機臺。合肥長(cháng)鑫目前進(jìn)度與晉華集成大致雷同，試產(chǎn)時(shí)程將會(huì )落于今年第三季，量產(chǎn)則暫定在2019年的上半年，時(shí)程較預期落后。此外，由于合肥長(cháng)鑫直攻三大DRAM廠(chǎng)最重要產(chǎn)品之一的LPDDR4 8Gb，爾后面臨專(zhuān)利爭議的可能性也較高，為了避免此一狀況，除了積極累積的專(zhuān)利權外，初期可能將鎖定于中國銷(xiāo)售。

反觀(guān)專(zhuān)注于利基型記憶的晉華集成，在2016年7月宣布于福建省晉江市建12英寸廠(chǎng)，投資金額約53億美元，以目前進(jìn)度來(lái)看，其利基型內存的試產(chǎn)延后至今年第三季度，量產(chǎn)時(shí)程也將落在明年上半年。

此外，從中國廠(chǎng)商NAND Flash的發(fā)展進(jìn)程來(lái)看，2016年12月底，由長(cháng)江存儲主導的國家存儲器基地正式動(dòng)土，官方預期分三階段，共建立三座3D-NAND Flash廠(chǎng)房。第一階段廠(chǎng)房已于去年9月完成興建，預定2018年第三季開(kāi)始移入機臺，并于第四季進(jìn)行試產(chǎn)，初期投片不超過(guò)1萬(wàn)片，用于生產(chǎn)32層3D-NAND Flash產(chǎn)品，并預計于自家64層技術(shù)成熟后，再視情況擬定第二、三期生產(chǎn)計劃。

DRAMeXchange指出，觀(guān)察中國存儲器廠(chǎng)商的研發(fā)與產(chǎn)出計劃，2019年將是中國存儲器產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)元年，但也由于兩家DRAM廠(chǎng)預估初期量產(chǎn)規模并不大，短期尚不會(huì )撼動(dòng)全球市場(chǎng)現有格局。

長(cháng)期來(lái)看，隨著(zhù)中國存儲器產(chǎn)品逐步成熟，預計2020-2021年兩家DRAM廠(chǎng)商現有工廠(chǎng)將逐步滿(mǎn)載，在最樂(lè )觀(guān)的預估下，屆時(shí)兩家合計約有每月25萬(wàn)片的投片規模，可能將開(kāi)始影響全球DRAM市場(chǎng)的供給。另一方面，長(cháng)江存儲計劃設有的三座廠(chǎng)房總產(chǎn)能可能高達每月30萬(wàn)片，不排除長(cháng)江存儲完成64層產(chǎn)品開(kāi)發(fā)后，可能將進(jìn)行大規模的投片，進(jìn)而在未來(lái)三到五年對NAND Flash的供給產(chǎn)生重大影響。