根據供應鏈傳出的消息指出，中國大陸最大的晶圓代工廠(chǎng)中芯國際，目前最新的14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段，其試產(chǎn)的良率已經(jīng)可以達到95%的水準。因此，距離2019年正式量產(chǎn)的目標似乎已經(jīng)不遠了。

據了解，根據中芯國際最新的財報顯示，目前中芯國際最先進(jìn)的制程為28納米。但是以2018年第1季的財報數字來(lái)看，28納米占其營(yíng)收不過(guò)3.2%，相較聯(lián)電、英特爾等先進(jìn)制程發(fā)展較慢的廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，落后的一個(gè)世代以上，更罔論與先進(jìn)制程開(kāi)發(fā)進(jìn)度較快的臺積電、格羅方德、三星等企業(yè)已經(jīng)準備切入7納米制程相較，更是足足落后3個(gè)世代以上。

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為了追趕這樣的落差，中芯國際不但在2017年底延攬三星電子及臺積電的前高層梁孟松來(lái)?yè)温?lián)席首席執行長(cháng)的職務(wù)，主要就是希望藉由他過(guò)去的經(jīng)驗，指導中芯國際在發(fā)展14納米FinFET制程上的進(jìn)程，使中芯國際的14納米FinFET制程能在2019年達成量產(chǎn)的目標之外，還在2018年初宣布，將聯(lián)同兩大政府產(chǎn)業(yè)基金共同投資102.4億美元，以加快14納米及以下先進(jìn)制程研發(fā)和量產(chǎn)計劃，最終達成每月量產(chǎn)3.5萬(wàn)片的目標。如今，在中芯國際的14納米FinFET制程達到良率95%的情況下，等于是向目標又邁進(jìn)了一大步。

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事實(shí)上，隨著(zhù)28納米Poly/SiON制程技術(shù)成功量產(chǎn)，再加上2018年2月成功試產(chǎn)客戶(hù)采用28納米High-K/Metal Gate（HKMG）制程技術(shù)的產(chǎn)品，試產(chǎn)良率高達98%之后，與中國臺灣地區晶圓代工廠(chǎng)商聯(lián)電有著(zhù)緊密合作關(guān)系的廈門(mén)聯(lián)芯，在28納米節點(diǎn)上的技術(shù)快速成熟。而這樣的消息對當前代表大陸晶圓代工龍頭的中芯來(lái)說(shuō)，因為在28納米HKMG制程良率一直不如預期，而且在過(guò)去14納米FinFET制程上又無(wú)法突破的情況下，幾乎要拱手讓出大陸晶圓代工龍頭的位置。如今，在14納米FinFET制程技術(shù)上取得了突破，并向量產(chǎn)目標邁開(kāi)腳步，才讓中芯國際再保住龍頭的位置。

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此外，除了對內與聯(lián)芯的競爭外，中芯國際在14納米FinFET制程上的突破，也象征著(zhù)拉近了與國際一線(xiàn)晶圓代工大廠(chǎng)的距離。除了臺積電、格羅方德、三星都在積極布局7納米制程，并且最快2018年底前就能有產(chǎn)品出現之外，包括聯(lián)電、英特爾都還在14納米節點(diǎn)的位置上。尤其是英特爾，在14納米制程上，預計還將使用到2019年后。在這方面來(lái)說(shuō)，未來(lái)一旦中芯國際14納米FinFET制程正式進(jìn)入量產(chǎn)，則大陸市場(chǎng)上目前交由海外代工的產(chǎn)品，就有可能由中芯國際進(jìn)行代工。對中芯國際來(lái)說(shuō)會(huì )是利多，但對其他的競爭對手而言就可能不是太好的消息。

根據業(yè)內消息人士指出，雖然過(guò)去曾有大基金擬向格羅方德購買(mǎi)技術(shù)，強化中芯國際14納米FinFET制程的消息。但是，這次似乎是梁孟松及其他所帶領(lǐng)的團隊發(fā)揮的作用，進(jìn)一步將中芯國際的14納米制程拉上。只是，消息人士也指出，這事情光靠梁孟松一人并不可能辦到，而是梁孟松過(guò)去從臺灣及韓國帶走的相關(guān)人員一起努力的結果。所以，中心國際線(xiàn)在已經(jīng)達到了14納米研發(fā)成功的階段，下一階段就必須看14納米制程能為公司帶來(lái)多少效益了。