三星量產(chǎn)第五代3D V-NAND閃存：96層堆疊，容量翻倍

三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數據寫(xiě)入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應時(shí)間也大幅縮短到50微秒。

為了實(shí)現上述所有的改進(jìn)，新一代V-NAND采用了96層層堆疊設計，它們堆疊成金字塔狀結構，中間有微小孔，這些小孔用作通道，尺度僅有幾百微米寬。這種制造方法包括了許多先進(jìn)技術(shù)，比如電路設計、新工藝技術(shù)等。具體細節三星未詳述，但該公司稱(chēng)，V-NAND的改進(jìn)讓每個(gè)存儲層的厚度已經(jīng)削薄了20%，并使其生產(chǎn)效率提高了30%以上。
 

據了解，三星目前正在全力擴大第五代V-NAND 3D堆疊閃存的生產(chǎn)線(xiàn)以增加產(chǎn)量。另外還有消息稱(chēng)，三星正在計劃開(kāi)發(fā)1TB（128GB）容量的QLC V-NAND閃存顆粒，來(lái)降低超大容量的SSD產(chǎn)品售價(jià)，以滿(mǎn)足服務(wù)器、超算等高密度存儲領(lǐng)域需求。