首個(gè)中國自主研發(fā)DRAM正式投片！長(cháng)鑫存儲迎來(lái)新CEO

國際電子商情報道，日前，消息稱(chēng)長(cháng)鑫存儲DRAM項目正式首次投片，啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品。這將是第一個(gè)中國自主研發(fā)的DRAM芯片。與此同時(shí)，長(cháng)鑫存儲和睿力集成的新CEO上任，據可靠消息，此位CEO正是兆易創(chuàng )新的董事長(cháng)朱一明先生?，F在，存儲器投片、管理者就位，這似乎預示著(zhù)長(cháng)鑫存儲的國產(chǎn)DRAM正式踏上征程。

國產(chǎn)DRAM突破

目前，國內DRAM廠(chǎng)商主要有紫光國芯、福建晉華、合肥長(cháng)鑫、長(cháng)江存儲等。紫光國微旗下的西安紫光國芯目前最新DDR4芯片已經(jīng)小批量產(chǎn)。福建晉華計劃于2018年下半年量產(chǎn)。合肥長(cháng)鑫的DRAM項目計劃2018年底量產(chǎn)，長(cháng)江存儲的DRAM進(jìn)度則稍慢，目前2018年內NAND FLASH小規模量產(chǎn)。另外，紫光南京半導體基地也計劃生產(chǎn)DRAM。

西安紫光國芯的前身是西安華芯半導體，2015年被紫光集團旗下紫光國芯（現更名紫光國微）收購，西安華芯則是浪潮集團2009年通過(guò)收購奇夢(mèng)達科技（西安）有限公司而成立，奇夢(mèng)達原為英飛凌科技存儲器事業(yè)部拆分獨立而來(lái)。西安紫光國芯的核心業(yè)務(wù)是存儲器設計開(kāi)發(fā)，自有品牌存儲器產(chǎn)品量產(chǎn)銷(xiāo)售，以及專(zhuān)用集成電路設計開(kāi)發(fā)服務(wù)。

福建晉華集成電路由福建省電子信息集團、晉江能源投資集團有限公司等共同出資設立，與臺灣聯(lián)華電子開(kāi)展技術(shù)合作，在福建省晉江市建設12吋內存晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)線(xiàn)，開(kāi)發(fā)先進(jìn)存儲器技術(shù)和制程工藝，并開(kāi)展相關(guān)產(chǎn)品的制造和銷(xiāo)售。由臺聯(lián)電出技術(shù)，晉華提供設備與資金，在晉江生產(chǎn)。主要生產(chǎn)利基型DRAM產(chǎn)品，采用32納米工藝制程。

合肥長(cháng)鑫則是由合肥市政府支持，興建12寸晶圓廠(chǎng)發(fā)展DRAM產(chǎn)品，2018年初位于合肥空港經(jīng)濟示范區的長(cháng)鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目的300臺研發(fā)設備已全部到位，2018年7月投片試產(chǎn)，工藝制程為19納米。

按照合肥長(cháng)鑫存儲器項目的5年規劃：2018年1月一廠(chǎng)廠(chǎng)房建設完成，并開(kāi)始設備安裝；2018年底量產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品；2019年3季度量產(chǎn)8Gb LPDDR4；2019年底實(shí)現產(chǎn)能2萬(wàn)片/月；2020年開(kāi)始規劃二廠(chǎng)建設；2021年完成17納米技術(shù)研發(fā)。

長(cháng)鑫存儲也是全球第四家DRAM產(chǎn)品采用20納米以下工藝的廠(chǎng)商。另外三家是目前DRAM存儲的三大巨頭，三星、SK海力士、美光。這三家的DRAM全球市占率超過(guò)95%。

據預計，長(cháng)鑫12寸存儲器晶圓制造項目投產(chǎn)后，將占據世界DRAM市場(chǎng)約8%的份額。然而，無(wú)論是福建晉華的合作共贏(yíng)，還是紫光對存儲的布局，以及長(cháng)鑫存儲的快速發(fā)展、領(lǐng)先的工藝制程等，不難看出，中國DRAM存儲器發(fā)展的決心，當然面對如今的DRAM市場(chǎng)的霸主格局，也必將經(jīng)歷一場(chǎng)虎口奪食的競爭。

長(cháng)鑫存儲、睿力集成、兆易創(chuàng )新

國際電子商情注意到，7月16日北京兆易創(chuàng )新公告稱(chēng)，朱一明先生辭去公司總經(jīng)理一職，將繼續擔任公司董事長(cháng)。朱一明先生所負責的工作已平穩交接，其辭職不會(huì )對公司的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)產(chǎn)生重大不利影響。公司聘任何衛先生為公司代理總經(jīng)理，任期至第二屆董事會(huì )任期屆滿(mǎn)之日止。

據可靠消息，此次朱一明辭職兆易創(chuàng )新總經(jīng)理后，將上任合肥長(cháng)鑫存儲及睿力CEO一職，引領(lǐng)合肥長(cháng)鑫的DRAM項目持續發(fā)展。

7月16日，在長(cháng)鑫存儲DRAM項目正式投片總結大會(huì )上，合肥長(cháng)鑫董事長(cháng)、原睿力CEO王寧國正式把長(cháng)鑫存儲以及睿力CEO的職位交給朱一明。經(jīng)過(guò)合肥市委、集成電路產(chǎn)業(yè)基金（大基金）的批準，朱一明將全職擔任長(cháng)鑫存儲、睿力CEO職位，他承諾在合肥長(cháng)鑫盈利之前不領(lǐng)一分錢(qián)工資、一分錢(qián)獎金。

兆易創(chuàng )新曾獲得《電子工程專(zhuān)輯》頒發(fā)的電子成就獎，朱一明（中）親自領(lǐng)獎（Source：電子工程專(zhuān)輯）

合肥長(cháng)鑫集成電路有限責任公司由合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股（集團）有限公司出資占比99.75%，合肥產(chǎn)投新興戰略產(chǎn)業(yè)發(fā)展合伙企業(yè)（有限合作）出資占比0.25%。

睿力集成電路有限公司為長(cháng)鑫存儲技術(shù)有限公司100%出資，而長(cháng)鑫存儲技術(shù)有限公司則由合肥銳捷聚成投資中心（有限合伙）出資占比80.10%，由合肥長(cháng)鑫集成電路出資占比19.9%。

去年底，兆易創(chuàng )新與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團)有限公司簽署《關(guān)于存儲器研發(fā)項目之合作協(xié)議》，約定雙方在安徽省合肥市經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區合作開(kāi)展工藝制程19nm存儲器的12英寸晶圓存儲器(含DRAM等)研發(fā)項目，項目預算約為180億元。目標是在2018年12月31日前研發(fā)成功，即實(shí)現產(chǎn)品良率不低于10%。項目預算達180億元，兆易創(chuàng )新與合肥產(chǎn)投將根據1∶4的比例負責籌集，兆易創(chuàng )新負責籌集約36億元。

此次，兆易創(chuàng )新董事長(cháng)朱一明出任的正是長(cháng)鑫存儲和睿力集成電路的CEO。有了董事長(cháng)坐陣，兆易創(chuàng )新在DRAM上面的動(dòng)作或許將更快。其實(shí)在NOR FLASH方面，兆易創(chuàng )新就與中芯國際合作，通過(guò)戰略合作穩定產(chǎn)能供應。相信與合肥長(cháng)鑫的合作，也將令兆易創(chuàng )新的DRAM產(chǎn)品發(fā)展得到一定的保障。就在兆易創(chuàng )新與合肥長(cháng)鑫達成合作之前，兆易經(jīng)歷了對ISSI的收購失敗，不過(guò)這并沒(méi)有改變這家國內IC設計公司發(fā)展存儲的野心。在另一方面也說(shuō)明，國產(chǎn)DRAM的發(fā)展還是要靠中國的存儲產(chǎn)業(yè)鏈走向自主之路。