三星2020年量產(chǎn)3納米、趕超臺積電？恐怕有變數

2018下半年，內存市場(chǎng)的行情與上半年截然相反，過(guò)山車(chē)式的降價(jià)仍未見(jiàn)底，業(yè)內看待明年市場(chǎng)是顧慮重重。據外資花旗銀行報告表示，2019年NAND Flash方面將會(huì )降價(jià)45%，DRAM 則降價(jià)30%，至少會(huì )持續到年中。對于內存大廠(chǎng)來(lái)說(shuō)，這無(wú)疑是個(gè)警訊。

面對內存市場(chǎng)的急劇反轉，三星表示，將持續強化晶圓代工的發(fā)展，并力爭在2020年量產(chǎn) 3 納米產(chǎn)品，趕超臺積電。

據外媒報導，三星晶圓代工業(yè)務(wù)負責人Eun Seung Jung表示，三星已完成3納米制程技術(shù)的性能驗證，正在進(jìn)一步完善制程技術(shù)，目標是2020年大規模量產(chǎn)。倘若如期實(shí)現量產(chǎn)，這將會(huì )比臺積電計劃量產(chǎn)的2022年還要早兩年。

目前全球晶圓代工市場(chǎng)幾乎是臺積電一家獨大，占據了全球市場(chǎng)的60%市占率。不僅營(yíng)收遠超于其它廠(chǎng)商，臺積電還掌握了最先進(jìn)的7納米制程工藝，包攬了未來(lái)一兩年內7納米產(chǎn)品的全部訂單。三星想在7納米的賽道上追上臺積電，難度比較大，所以才把目光放在更先進(jìn)的3納米制程工藝上。

說(shuō)起來(lái)容易，做起來(lái)難。首先，芯片技術(shù)革新不可能一步登天，三星在7納米制程節點(diǎn)上已經(jīng)落后太多，技術(shù)仍需要補齊；其次，發(fā)展晶圓代工需要大量的資金，當前內存市場(chǎng)面臨大降價(jià)，三星也難獨善其身；接著(zhù)，對手也非省油的燈，臺積電除了準備投資新臺幣6000億建立新工廠(chǎng)外，還與眾多廠(chǎng)商合作，建立起生態(tài)體系。最后，芯片制程技術(shù)并非誰(shuí)先推出，誰(shuí)就有優(yōu)勢，屆時(shí)還需要對比各自的良率表現。

綜上所述，三星3納米制程能否趕超臺積電，恐怕還有變數。我們拭目以待吧！