IDC：全快閃陣列技術(shù)持續突破，每GB跌破2美元

據IDC(國際數據信息)企業(yè)儲存系統調查報告顯示，2018年第三季全快閃陣列(All-FlashArray,AFA)儲存系統的每GB容量?jì)r(jià)格已降至2美元以下，降到1.92美元；先前均在2美元以上價(jià)位，包含2015年的4.12美元、2016年的3.11美元、2017年的2.45美元，2018年第二季亦仍在2美元之上，為2.03美元。

IDC指出，快閃存儲器因工藝技術(shù)的持續突破，從過(guò)往的SLC推進(jìn)到MLC、TLC，甚至是QLC或多層疊裝等，使其每單位儲存空間的成本價(jià)格不斷下滑，加上快速的存取特性，在企業(yè)級儲存市場(chǎng)的接受度逐季提高，至2018年第三季已占整體市場(chǎng)30%以上，來(lái)到31.8%。

近年來(lái)，快閃儲存陣列市場(chǎng)已成各大儲存設備供應商之兵家必爭之地，傳統品牌儲存設備廠(chǎng)商如思科、戴爾、EMC、HDS、IBM、HP、NetApp，以及新創(chuàng )公司如Pure Storage、Violin Memory、SolidFire(已被NetApp并購)、Tintri等，臺灣的本土廠(chǎng)商則有普安、捷鼎，都有推出相對應的混合式快閃儲存陣列以及全快閃儲存陣列的產(chǎn)品進(jìn)入企業(yè)儲存市場(chǎng)。

據了解，快閃存儲器是利用晶體管儲存資料，和過(guò)去傳統硬盤(pán)需要等待機械手臂移動(dòng)時(shí)間造成的延遲相比，快閃存儲器滿(mǎn)足了企業(yè)市場(chǎng)與資料中心對Hot Data存取需求，在回應時(shí)間與IOPS(Input/Output Operations Per Second)的表現上，均回應了企業(yè)對高速儲存應用的需要。

展望后市，IDC預期，只要快閃存儲器工藝技術(shù)持續突破，良率穩定與產(chǎn)能順暢，相同成本的容量增加速度，高過(guò)于企業(yè)資料需求的增長(cháng)速度等，則快閃存儲器可望持續在企業(yè)儲存系統市場(chǎng)滲透。