SK海力士公司表示，將投資127.73億人民幣在首爾南部的清州建造新工廠(chǎng)，以滿(mǎn)足市場(chǎng)上日益增長(cháng)的智能手機NAND閃存芯片需求。還將斥資54.91億人民幣在無(wú)錫建廠(chǎng)，以增加動(dòng)態(tài)隨機存取存儲（DRAM）芯片的產(chǎn)能。去年該公司表示，將投資總額46萬(wàn)億韓元提高芯片產(chǎn)量。
集邦科技的研究報告顯示，2017年的NAND Flash產(chǎn)能將會(huì )增加6%，不過(guò)價(jià)格會(huì )處于穩步上揚的狀態(tài)。價(jià)格上揚的主要原因來(lái)自于工藝技術(shù)的更新，2D-NAND芯片會(huì )在2017年降低占比，隨后慢慢退出市場(chǎng);而64層的3D-NAND要進(jìn)入到市場(chǎng)還需要等到2017年第三季度，在此之前，NAND閃存顆粒的還是處于供不應求狀態(tài)。
移動(dòng)設備存儲需求的增長(cháng)和固態(tài)硬盤(pán)在PC、數據中心的使用已促使SK海力士對手三星電子、東芝提高在芯片生產(chǎn)上的投資。“為了實(shí)現進(jìn)一步增長(cháng)，提前確保芯片產(chǎn)能很重要，這樣才能應對3D NAND技術(shù)引領(lǐng)的NAND閃存市場(chǎng)增長(cháng)，”SK海力士在一份聲明中稱(chēng)。
現在手機硬件配置發(fā)展迅速，其中內存容量更是扶搖直上。短短幾年間，手機運行內存從256MB發(fā)展至現在的6GB，直追電腦。日前，海力士宣布出貨8GB LPDDR4手機內存，旗艦手機8GB內存時(shí)代已經(jīng)到來(lái)。
SK海力士最新的8GB LPDDR4內存為單芯片封裝，適合用于智能手機、平板機。它整合了四顆2GB的DRAM IC，額定數據傳輸率3733MT/s(也就是頻率3733MHz)，帶寬達29.8GB/s。
該芯片21nm工藝制造，15×15毫米366/376-ball FBGA小型封裝，兼容主流移動(dòng)設備，可與SoC處理器、UFS NAND閃存堆疊封裝，電壓1.8/1.1V，現在已經(jīng)開(kāi)始出貨。
三星兩個(gè)月前同樣推出了8GB LPDDR4內存，頻率稍高，為4266MHz。SK海力士表示計劃在明年開(kāi)始量產(chǎn)10nm制程的DRAM芯片，業(yè)界內有消息稱(chēng)SK海力士的10nm晶圓已經(jīng)完成制樣，正在進(jìn)行可靠性認證。
