DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，觀(guān)察2017年第一季，供給方面因轉進(jìn)3D-NAND Flash制程造成供貨減少，使得各項合約價(jià)格持續上揚，但在終端需求方面較2016年第四季減少，預期NAND Flash品牌廠(chǎng)營(yíng)收仍將持續成長(cháng)，增幅稍微趨緩，而以全年度NAND Flash供應預期都將吃緊的情況來(lái)看，2017年NAND Flash廠(chǎng)商的營(yíng)收仍可望逐季增加。
三星電子
受惠于高容量eMMC與UFS需求和固態(tài)硬盤(pán)表現強勁，去年第四季三星NAND Flash除了位元出貨量季成長(cháng)11～15%外，平均銷(xiāo)售單價(jià)也成長(cháng)逾5%，NAND Flash營(yíng)收季成長(cháng)近20%。
三星在高容量eMMC/UFS及固態(tài)硬盤(pán)上市場(chǎng)份額領(lǐng)先，因此受惠價(jià)格上漲的程度更為顯著(zhù)，而48層堆棧的3D-NAND Flash已順利導入全系列固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品線(xiàn)。
三星Line16廠(chǎng)持續轉進(jìn)3D-NAND Flash，Line17與平澤廠(chǎng)的新產(chǎn)能貢獻將從第二季后將開(kāi)始提升，因此預估2017第一季位元出貨量將季衰退4～9%，位元成長(cháng)須待至第二季后才會(huì )顯著(zhù)提高。
SK海力士
SK 海力士降低固態(tài)硬盤(pán)端供貨比重以應對中國大陸品牌智能手機eMCP需求，去年第四季位元出貨量微幅下滑3%，但平均銷(xiāo)售單價(jià)則揚升14%，營(yíng)收季成長(cháng)9%至11.56億美元。
2017年第一季SK 海力士面臨轉進(jìn)3D-NAND Flash及第一季智能手機出貨減少等因素，預估位元出貨量將季衰退約0～5%，但在NAND Flash依舊吃緊的態(tài)勢下，平均銷(xiāo)售單價(jià)仍可望續揚。
在3D-NAND Flash的進(jìn)度上，第一季SK 海力士3D-NAND Flash位出貨占比為10%，預期在48層堆棧與下半年將推出的72層堆棧3D-NAND Flash帶動(dòng)下，年底前3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將超越50%。
東芝電子
東芝電子64層堆棧的3D-NAND Flash產(chǎn)品相關(guān)對應的產(chǎn)品下半年將放量生產(chǎn)，現階段在良率尚未顯著(zhù)提升之際，48層堆棧的3D-NAND Flash成為上半年營(yíng)運的重點(diǎn)，而目前東芝3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重較低，但年底維持超過(guò)產(chǎn)出的50%計劃不變。
西數
在位元出貨量與平均銷(xiāo)售單價(jià)均上漲的情況下，西數2017會(huì )計年度第二季的NAND Flash營(yíng)收大幅季成長(cháng)約20%。全系列固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品線(xiàn)表現強勁，顯現在合并閃迪的綜效已開(kāi)始顯現。
從產(chǎn)品面看，西數的64層堆棧3D-NAND Flash已經(jīng)在自家Retail產(chǎn)品開(kāi)始出貨，OEM產(chǎn)品的認證過(guò)程也會(huì )在本季開(kāi)始進(jìn)行，預計整體3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重在2017年底前將超過(guò)50%。
美光
受惠于整體NAND Flash市況供貨吃緊與需求強勁，美光2017會(huì )計年度第一季位元出貨量大幅季成長(cháng)26%，NAND Flash營(yíng)收也大幅季成長(cháng)27%，至12.72億美元。在營(yíng)收的產(chǎn)品分配上，因移動(dòng)終端與車(chē)用電子需求增加， 零部件顆粒銷(xiāo)售比重降至40%，移動(dòng)終端需求上升至23%，固態(tài)硬盤(pán)也微幅增加至15%，車(chē)用與其他工控類(lèi)則是上升至20%。
產(chǎn)品規劃方面，美光3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重已超越50%，是除三星外唯一產(chǎn)出比重超過(guò)50%的廠(chǎng)商，同時(shí)，美光下個(gè)世代的64層堆棧3D-NAND Flash也預計在今年下半量產(chǎn)，原有的2D-NAND Flash產(chǎn)品占比將下滑至10%左右，僅滿(mǎn)足原有利基型的應用。
英特爾
受惠于企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)的強勁需求，讓英特爾2016年第四季位元出貨量季成長(cháng)25%以上，整體NAND Flash營(yíng)收也季成長(cháng)25%，至8.16億美元。產(chǎn)品規劃方面，英特爾20納米與25納米舊制程的產(chǎn)品減少，16納米與3D-NAND Flash（MLC架構）的企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)銷(xiāo)售比重則逐步放大，有助讓價(jià)格更具競爭力，也有助成本下降與利潤增加，另外，3D-NAND Flash （TLC架構）的產(chǎn)品也開(kāi)始放量生產(chǎn)。
