拓墣指出，中國大陸本土純晶圓代工廠(chǎng)商目前最先進(jìn)的量產(chǎn)制程工藝為28納米，根據統計，2016年中芯國際28納米晶圓產(chǎn)能全球占比不足1%，與28納米制程市占率分別為66.7%、16.1%與8.4%的前三大純晶圓代工廠(chǎng)商臺積電、格羅方德、聯(lián)電仍有較大差距。
不過(guò)，根據中芯國際財報顯示，2016年第四季28納米營(yíng)收占比達到3.5%。中芯國際首席執行官邱慈云在2月15日的法說(shuō)會(huì )上表示，28納米以下制程工藝會(huì )是2017年中芯的成長(cháng)動(dòng)能之一，預期2017年底28納米以下制程工藝將占公司營(yíng)收比重達到7%-9%。在剛公布的2016年業(yè)績(jì)報告中，中芯國際也展望2017年底28納米季度營(yíng)收占比接近10%。
觀(guān)察華力微電子的制程工藝布局進(jìn)度，雖然華力微電子宣布與聯(lián)發(fā)科合作的28納米移動(dòng)通信芯片已順利流片，但距量產(chǎn)仍有一段距離。華力微電子二期項目已于2016年底開(kāi)工，計劃2018年完工試產(chǎn)，預期將導入28納米生產(chǎn)線(xiàn)，后期逐漸過(guò)渡至20納米、14納米，華力微電子二期項目也有導入22納米FD-SOI工藝的計劃。
拓墣指出，目前正值中國集成電路產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展時(shí)期，除了本土晶圓制造廠(chǎng)商大力擴張發(fā)展外，受地方政府及資本的追捧，外資廠(chǎng)商也紛紛登陸，各廠(chǎng)商都寄望在中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵之際提前布局，占據有利市場(chǎng)地位。根據外資廠(chǎng)商進(jìn)駐大陸的技術(shù)布局習慣，一般會(huì )授權（N-1）代的技術(shù)，然而，這些技術(shù)往往又會(huì )對同期中國本土廠(chǎng)商產(chǎn)品造成很大的沖擊。
外資晶圓廠(chǎng)制程領(lǐng)先，沖擊本土廠(chǎng)商
截至目前，在純晶圓代工領(lǐng)域，選在南京建廠(chǎng)的臺積電將于2018年下半年導入16納米FinFET制程工藝，預計對中芯國際2019年初的14納米FinFET量產(chǎn)計劃產(chǎn)生較大影響；于成都落腳的格羅方德將于2019年底導入22納米FD-SOI工藝制程，直接壓迫同期華力微電子22納米FD-SOI工藝的布局計劃。
另一方面，去年底剛投產(chǎn)的廈門(mén)聯(lián)芯，初期導入55/40納米制程工藝，近日在聯(lián)電成功實(shí)現14納米FinFET量產(chǎn)計劃的條件下，宣布正式獲得聯(lián)電28納米技術(shù)授權，并計劃最快2017年第二季度導入量產(chǎn)，預估到年底在產(chǎn)能一萬(wàn)六千片中，有一萬(wàn)片是28納米。
在量產(chǎn)速度上，聯(lián)芯成為大陸領(lǐng)先。雖然中芯國際的28納米制程工藝已在這之前開(kāi)始量產(chǎn)，但從產(chǎn)品規格來(lái)看，中芯更多偏向中低端的28納米Ploy/SiON技術(shù)，對于高端的28納米HKMG制程工藝涉足并不深，而聯(lián)電的28納米在量產(chǎn)時(shí)間上領(lǐng)先中芯國際兩年，技術(shù)水準也相對更加全面和穩定，預計未來(lái)會(huì )對中芯國際28納米的布局產(chǎn)生較大的影響。
因此，拓墣指出，未來(lái)隨著(zhù)各外資廠(chǎng)商新廠(chǎng)的落成投產(chǎn)，等待大陸本土廠(chǎng)商的將是來(lái)自各外資廠(chǎng)商在技術(shù)、人才、市場(chǎng)等多方面資源的直接競爭，中國大陸晶圓代工廠(chǎng)先進(jìn)制程布局將全面開(kāi)戰。
