三星電子(Samsung Electronics)日前更新其代工技術(shù)藍圖，詳細介紹該公司的第二代FD-SOI平臺進(jìn)展、多種塊材硅(bulk silicon) FinFET工藝微縮至5nm，以及計劃在2020年推出4nm“后FinFET”結構工藝。
三星在上周宣布拆分其代工業(yè)務(wù)成為獨立單位，稱(chēng)為Samsung Foundry，同時(shí)重申先前發(fā)布的計劃——在2018年7nm節點(diǎn)時(shí)將極紫外光(EUV)微影技術(shù)投入生產(chǎn)。
三星代工營(yíng)銷(xiāo)資深總監Kelvin Low表示：“我們極其積極地經(jīng)營(yíng)我們的開(kāi)發(fā)藍圖，不只是作規劃，而且也宣布未來(lái)三到四年內要做的事。”
在該公司于加州舉行的年度代工技術(shù)論壇上，三星發(fā)布的重大技術(shù)突破是其專(zhuān)有的下一代產(chǎn)品架構，稱(chēng)為多橋通道場(chǎng)效晶體管(MBCFET)。據稱(chēng)這種結構是三星自行開(kāi)發(fā)的全包覆式閘極場(chǎng)效晶體管(GAAFET)專(zhuān)有技術(shù)，采用納米薄片組件，克服FinFET架構的實(shí)體微縮與性能限制。
三星的開(kāi)發(fā)藍圖計劃在2020年時(shí)以4nm低功耗(LPP)工藝投產(chǎn)MBCFET技術(shù)。
而從現在到2020年，三星預計今年將投產(chǎn)8nm LPP工藝，明年推出搭配EUV微影的7nm LPP工藝，而在2019年計劃推出5nm和6nm LPP工藝。
EUV長(cháng)久以來(lái)承諾可成功實(shí)現193nm浸潤式微影技術(shù)，如今終于發(fā)展到即將投入生產(chǎn)之際。三星主要的競爭手——臺積電(TSMC)與Globalfoundries，均已宣布在2019年將EUV用于生產(chǎn)的計劃了。
三星已在工藝開(kāi)發(fā)中展現250W EUV光源生產(chǎn)的目標。根據Low，透過(guò)EUV微影，可望達到每天1,500萬(wàn)片晶圓的產(chǎn)能。三星目前已能達到每日1,000片晶圓產(chǎn)能，并且有信心很快就能實(shí)現1,500萬(wàn)片晶圓產(chǎn)能的目標。
三星半導體部門(mén)總裁Kinam Kim發(fā)布該公司的代工工藝藍圖
“我們有信心能準備好在2018年將EUV投入生產(chǎn)，”Low說(shuō)：“這已經(jīng)不再只是概念性的開(kāi)發(fā)藍圖。”
Low表示，相較于其競爭對手，三星將10nm節點(diǎn)視為“長(cháng)前置期節點(diǎn)”(long-lead node)，即在相當長(cháng)的一段時(shí)間內可為客戶(hù)提供先進(jìn)設計所要求的性能和功耗。
“只要功耗、性能和生產(chǎn)規模達到預期的目標，我們認為這就會(huì )是一個(gè)非常有生產(chǎn)力的節點(diǎn)，”Low說(shuō)。
三星還詳細介紹了計劃在2019年投入生產(chǎn)的18nm FD-SOI工藝技術(shù)。預計在提供第二代FD-SOI平臺之前，該公司將藉由整合射頻(RF)與嵌入式MRAM，逐步擴展現有的28nm
FD-SOI工藝至更廣泛的平臺。相較于上一代平臺，三星預計其第二代FD-SOI平臺功耗更低40%、性能和尺寸優(yōu)勢也提升了20%。
