該座3D NAND新工廠(chǎng)興建計劃由東芝半導體事業(yè)子公司“東芝內存(Toshiba Memory Corporation,以下簡(jiǎn)稱(chēng)TMC)”負責策劃，而東芝是在說(shuō)明上述新廠(chǎng)興建計劃后才進(jìn)行TMC的招標作業(yè)，因此即便之后TMC易主、預估新廠(chǎng)興建計劃仍將持續。而實(shí)際上，TMC賣(mài)身錢(qián)不過(guò)1兆+日圓。

報導指出，東芝因TMC出售案一事和合作伙伴WesternDigital(WD)鬧翻、對立情勢加劇，因此上述新廠(chǎng)能否如之前一樣和WD分擔投資額仍舊不明，不過(guò)因TMC恐難于單獨進(jìn)行巨額投資，故若無(wú)法和WD達成和解的話(huà)，恐必須重新思考合作策略、尋找新投資伙伴。NANDWFG東芝3日宣布，關(guān)于目前已在四日市工廠(chǎng)廠(chǎng)區內興建的3D NAND專(zhuān)用廠(chǎng)房“第6廠(chǎng)房”投資案，因和WD子公司SanDisk未能獲得共識、協(xié)商破裂，故所需的設備投資金額將由TMC單獨負擔，且為了因應內存需求擴大，故投資金額將從原先規劃的1800億日圓加碼至約1950億日圓。東芝指出，計劃在2018年度將3D架構產(chǎn)品的產(chǎn)量比重提高至約90%。

早在6月28日，東芝為了展現其在NAND Flash的技術(shù)實(shí)力，宣布，將在明年量產(chǎn)全球首款采用堆棧96層制程技術(shù)的3D NAND Flash產(chǎn)品，且也試作出全球首見(jiàn)、采用4bit/cell(QLC)技術(shù)的3D NAND Flash產(chǎn)品。而東芝再出招，宣布已試作出全球首款采用硅穿孔(TSV)技術(shù)的3D NAND Flash產(chǎn)品、并將在年內送樣。

東芝表示，上述試作品采用堆棧48層制程技術(shù)，成功提高省電性能，且和采用打線(xiàn)接合(Wirebonding)技術(shù)的產(chǎn)品相比、其電力效率(每單位電力的數據傳送量、MB/s/W)可提高至約2倍水平；另外，藉由堆棧16片512Gb芯片、成功實(shí)現了1TB的大容量產(chǎn)品。

路透社、美聯(lián)社等多家外電報導，三星7月4日宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型閃存廠(chǎng)房投入14.4兆韓元，并對華城市新建的半導體生產(chǎn)線(xiàn)投入6兆韓元。位于中國西安的NAND生產(chǎn)基地也會(huì )多蓋一條生產(chǎn)線(xiàn)，但投資金額和時(shí)間表還未定。

最新數據顯示，南韓6月份半導體出口價(jià)格創(chuàng )下30個(gè)月新高，再次證明全球芯片需求持續成長(cháng)。南韓媒體Business korea.com報導，位于南韓平澤（Pyeongtaek）的三星內存廠(chǎng)正在加速擴廠(chǎng)，產(chǎn)業(yè)消息指出，東芝NAND產(chǎn)能僅能滿(mǎn)足蘋(píng)果七成需求，致使蘋(píng)果緊急向三星下單，三星積極擴充產(chǎn)能或與此有關(guān)。

內存廠(chǎng)商大手筆投資，讓IC Insights憂(yōu)心忡忡。該機構7月18日稱(chēng)，內存以往市況顯示，過(guò)度投資常會(huì )造成產(chǎn)能過(guò)剩、削弱價(jià)格。未來(lái)幾年三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝/SanDisk、武漢新芯(XMC)/長(cháng)江存儲(YangtzeRiverStorage)都大舉提高3D NAND flash產(chǎn)能，未來(lái)可能還有中國新廠(chǎng)商加入戰場(chǎng)，3D NAND flash產(chǎn)能過(guò)多的可能性“非常高”(veryhigh)。