根據科技媒體《ZDNet》的報導，在日前的 2017 年國際電子元件會(huì )議（IDEM 2017）上，晶圓代工大廠(chǎng)格羅方德（GlobalFoundries）公布了有關(guān)其 7 納米制程的詳細資訊。與當今用于 AMD 處理器，IBM Power 服務(wù)器芯片，以及其他產(chǎn)品的 14 納米制程產(chǎn)品相比，7 納米制程在密度、性能與效率方面都有顯著(zhù)提升。

格羅方德最新一代的 3D 或 FinFET 電晶體，在 7 納米制程下具有 30 納米的鰭間距（導電通道之間的間距）、56 納米的柵極間距、以及 40 納米的最小金屬間距。此外，7 納米制程可生產(chǎn)的最小高密度 SRAM 單元尺寸為 0.0269 平方微米。以上公布的這些間距尺寸，相較 14 納米制程來(lái)說(shuō)已經(jīng)有了大幅度的進(jìn)步。對此，格羅方德方面表示，其調整了鰭片形狀與輪廓以獲取最佳性能。不過(guò)，格羅方德卻拒絕提供有關(guān)該翅片寬度與高度的測量資料。

而根據格羅方德所公布的這些尺寸，不僅類(lèi)似于臺積電的 7 納米制程，與英特爾宣稱(chēng)跟其他晶圓代工廠(chǎng) 7 納米制程同等級的 10 納米制程來(lái)說(shuō)也大致相同。至于，另一家晶圓代工大廠(chǎng)三星，則將于 2018 年初在國際固態(tài)電路研討會(huì )（ISSCC 2018）上公布其直接采用 EUV 技術(shù)的 7 納米制程的詳細資訊。

總而言之，格羅方德方面預計 7 納米制程能夠達成 2.8 倍的電晶體密度提升，并提高 40% 的性能表現，亦或者是在同等性能條件下將功耗降低 55%。另外在高性能版本上，還能夠額外提供 10% 的性能提升。

2018年試生產(chǎn)，2019年量產(chǎn)7納米工藝

報導中進(jìn)一步表示，格羅方德的 7 納米制程將在 2018 年中期進(jìn)行試生產(chǎn)，2019 年在紐約馬爾他工廠(chǎng)進(jìn)行量產(chǎn)。對此，格羅方德表示，該公司有多種產(chǎn)品現在仍處于投入生產(chǎn)前的最后一個(gè)主要設計步驟，而且計劃在 2018 年推出。另外，7 納米制程也是其格羅方德 FX-7 ASIC 產(chǎn)品的基礎，目前許多格羅方德的許多客戶(hù)正在使用 FX-7 ASIC 設計，封裝有高頻寬存儲器的專(zhuān)用高性能芯片，來(lái)用于處理機器學(xué)習的工作上。

據了解，AMD目前選擇全部產(chǎn)品都交給GF代工。其中，采用其最新的14 納米工藝的包括 Ryzen 處理器，以及服務(wù)器領(lǐng)域的 EPYC 處理器。至于，GPU芯片方面，Polaris 北極星用的是GF 的28 納米工藝，最新的 Vega 織女星則也是則是采用GF的 14 納米工藝。

還有，AP 處理器部分，現有第7代處理器系由GF的28納米工藝生產(chǎn)。根據未來(lái)的發(fā)展藍圖，將在2017年第4季推出的Zen APU，則將會(huì )改用GF的14納米工藝生產(chǎn)。按照AMD的規劃，Zen家族未來(lái)至少兩代產(chǎn)品，包括Ryzen、EPYC都會(huì )繼續交給GF代工生產(chǎn)，分別采用其7納米、及7納米+的工藝。

格羅方德技術(shù)長(cháng) Gary Patton 在接受媒體聯(lián)訪(fǎng)時(shí)表示，格羅方德將轉型成為一家全方位服務(wù)型代工廠(chǎng)商，其中，對 IBM Microelectronics 的成功收購，為該公司在 3D FinFET 領(lǐng)域帶來(lái)了大量知識產(chǎn)權與專(zhuān)業(yè)技術(shù)，使得格羅方德有能力自主研發(fā)其 7 納米制程，以及領(lǐng)先的無(wú)線(xiàn) RF（射頻）業(yè)務(wù)。

Gary Patton 強調，目前格羅方得的美國紐約馬爾他晶圓廠(chǎng)正在大量生產(chǎn) 14 納米芯片，此外，格羅方德公司還營(yíng)運了另外 4 座晶圓廠(chǎng)，而在中國成都的第 6 座晶圓廠(chǎng)將于 2018 年投入生產(chǎn)。目前除了 AMD 與 IBM 為主要客戶(hù)之外，其他在多個(gè)應用領(lǐng)域都有一定的成績(jì)，包括在人工智能、汽車(chē)電子、5G 通訊與物聯(lián)網(wǎng)等項目。