缺貨漲價(jià)聲不斷，DRAM現貨價(jià)月漲三成？

機構：12月DRAM現貨價(jià)月漲三成

國際電子商情先前有報道，自8月以來(lái)，產(chǎn)能吃緊情況加重，但8吋晶圓代工產(chǎn)能擴產(chǎn)有限，加上下游終端客戶(hù)擔心搶不到產(chǎn)能，因此部分訂單涌入6吋產(chǎn)能，臺系代工大廠(chǎng)茂矽因此受益，9月表態(tài)其產(chǎn)能已滿(mǎn)載，并透露“不排除與客戶(hù)協(xié)商調漲代工價(jià)格的可能。但接單將優(yōu)先接下芯片需求，MOSFET的將酌情考慮。”

近期，BusinessKorea報道稱(chēng)，在供給緊繃狀態(tài)下，芯片價(jià)格喊漲態(tài)勢恐將持續。而同一狀態(tài)中，在存儲器方面，市調機構TrendForce最新報告預測，固態(tài)硬盤(pán)（SSD）控制芯片價(jià)格或有20%的上漲空間 。受此影響，內嵌式存儲器 eMMC、UFS 在2021年首季價(jià)格估計將調漲5%。

另外，該機構認為，目前DRAM市場(chǎng)前景較好，除了現貨價(jià)調漲勢頭已定，預計固定合約價(jià)也將跟進(jìn)調漲。報告指出，2020年12月DRAM現貨價(jià)3.46美元，比11月時(shí)高出30%。 該機構預計2021年首季DRAM價(jià)格將季增5%。

對比上述機構，韓國KB證券分析師Jeff Kim預測相對樂(lè )觀(guān)，據他分析，認為三星電子資本開(kāi)支保守，因此產(chǎn)能方面吃緊情況短期內恐難有變化，預計會(huì )讓DRAM 和NAND漲勢延續至2021年。Jeff 估計，2021年DRAM價(jià)格將年增7.1%，遠優(yōu)于2020年下跌14.4%。

Jeff 表示，看好存儲器市況的理由有三，一是伺服器替換需求暫緩4年后需求迎來(lái)將復蘇，有利伺服器DRAM/SSD；二是美國限制華為措施仍未放松，讓中國手機廠(chǎng)商處于“危機感”下，因此包括OPPO、vivo、小米等廠(chǎng)商都在加大采購力度；三是美光跳電引發(fā)的供給短缺憂(yōu)慮，也會(huì )拉升DRAM 買(mǎi)氣。報告并指出，目前三星和SK 海力士庫存正在迅速減少，可能會(huì )降至正常水位的一半。

廠(chǎng)商漲價(jià)，蓄勢待發(fā)？

供應鏈方面，近期也傳出8吋廠(chǎng)生產(chǎn)的顯示器驅動(dòng)芯片（DDI）、電源管理芯片（PMIC）漲價(jià)。稍早之前，匯頂已證實(shí)，將自1月1日起觸控芯片 GT9系列漲價(jià)30%。（相關(guān)閱讀：匯頂科技證實(shí)，GT9觸控芯片全系漲價(jià)30%！）

更早之前，聯(lián)詠已經(jīng)宣布2021年起調高顯示器驅動(dòng)芯片價(jià)格。AOS（萬(wàn)國）近期也發(fā)出漲價(jià)信號，宣布電源管理芯片在2021年1月起調漲 20%。值得一提的是，Diodes近期也發(fā)出調價(jià)函稱(chēng)，受新冠疫情影響，以及受到供應商的成本增加和交貨期延長(cháng)的挑戰，將對部分產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行調漲，價(jià)格調漲部分將自2021年1月1日開(kāi)始生效。有消息顯示，目前Diodes的低壓Mosfet交期拉長(cháng)，延長(cháng)至17-22周。

環(huán)球晶預告漲價(jià)

上周，硅晶圓大廠(chǎng)環(huán)球晶日前公開(kāi)表態(tài)，受惠5G、車(chē)用等應用強勁需求帶動(dòng)，該公司尺寸產(chǎn)能到明年上半年均維持滿(mǎn)載，營(yíng)收可望逐季走揚，其中，12 吋現貨價(jià)已調漲，其他尺寸也將逐步調漲，估明年整體ASP（平均售價(jià)）可能略?xún)?yōu)于今年。（推薦閱讀：產(chǎn)能滿(mǎn)載，晶圓大廠(chǎng)宣布全尺寸漲價(jià)！）

環(huán)球晶董事長(cháng)徐秀蘭表示，隨著(zhù)汽車(chē)電子市場(chǎng)需求在今年8、9月逐漸回暖，目前環(huán)球晶2020年營(yíng)運表現符合預期，產(chǎn)能方面，目前6吋 (及以下)、8吋與12吋產(chǎn)能均滿(mǎn)載，且到明年上半年都將維持滿(mǎn)載狀態(tài)。“預期2021年12吋現貨價(jià)漲幅會(huì )最大，其他尺寸也將逐步調漲。”徐秀蘭說(shuō)。

環(huán)球晶方面表示，整體而言，2021年長(cháng)期合約比重較今年下滑，現貨價(jià)則較今年成長(cháng)，綜合兩因素影響，2021年ASP （平均售價(jià)）不會(huì )與今年差異太大，可能略?xún)?yōu)于2020年。

值得一提的是，針對產(chǎn)業(yè)擔憂(yōu)的有關(guān)庫存調整疑慮方面，環(huán)球晶方面表示，已持續與客戶(hù)確認是否有重復下單情況，但每個(gè)客戶(hù)給到的反饋都是“沒(méi)有重復下單”。

展望未來(lái)，徐秀蘭認為，2021年整體營(yíng)收可望逐季走揚，總出貨面積可能接近、或持平2018年的歷史高點(diǎn)，不過(guò)匯率因素方面還有待觀(guān)察。與此同時(shí)，考慮到疫情加速數字轉型，及5G、電動(dòng)車(chē)等應用強勁需求帶動(dòng)，預計到2022年營(yíng)收表現又會(huì )優(yōu)于2021年。

券商“湊熱鬧”：存儲器漲跌有別

針對近期各家外資紛紛看好存儲器的前景，瑞銀（UBS）也在最新報告指出，預計存儲器將自2021年首季開(kāi)始迎接新的成長(cháng)周期，且時(shí)間將持續至2022年中。與此同時(shí)，該報告也提到，存儲器市場(chǎng)方面，雖預期DRAM供不應求的表現，但NAND Flash方面預期仍存在供應過(guò)剩的情況。

報告指出，2021年存儲器市場(chǎng)，在DRAM方面因為伺服器DRAM的需求提升，加上中國手機廠(chǎng)商，包括OPPO、vivo以及小米都想搶食華為市占大舉擴產(chǎn)，拉抬移動(dòng)DRAM需求情況下，導致DRAM報價(jià)在2021年首季開(kāi)始上揚。

另外，報告認為，隨著(zhù)云計算和5G需求帶動(dòng)，各大終端也開(kāi)始積極對伺服器DRAM開(kāi)始大規模采購計劃，且需求強勁力道超出市場(chǎng)預期，而需求增長(cháng)態(tài)勢預期將持續到2022年，預測2021年首季DRAM的報價(jià)季增4%，超越先前預估的季增1%。而第2季預估更較第1季成長(cháng)10%，超出之前預估的7%增幅，使得2021年總體DRAM的報價(jià)較先前預估的7%成長(cháng)3個(gè)百分點(diǎn)，漲幅可望達到10%的水位。

至于NAND Flash市場(chǎng)方面，雖然2021年NAND Flash的報價(jià)成長(cháng)有限，加上供過(guò)于求的狀況也將持續至2021年，預期表現不如DRAM來(lái)的亮眼。但報告也指出 ，只要智能手機需求成長(cháng)態(tài)勢不變，即使NAND Flash不是提升重點(diǎn)，后續也有成長(cháng)的空間 。另外，預計PC對SSD固態(tài)硬盤(pán)的需求在2021年上半年仍舊強勁，但預計持續時(shí)間有限，不一定能維持到下半年的情況下，針對NAND Flash在2021年的市場(chǎng)報價(jià)，較先前預估的下滑33%的幅度則有所收斂，預計將較2020年下滑28% 。