長(cháng)江存儲年中試產(chǎn)192層3D NAND？官方辟謠

日經(jīng)亞洲評論12日引述未具名消息人士報導，長(cháng)江存儲計劃在2021下半年，將存儲器芯片的月產(chǎn)量倍增至10萬(wàn)片硅晶圓，約占全球產(chǎn)出7%。相較之下，全球最大NAND 型快閃存儲器制造商三星的月產(chǎn)出為48萬(wàn)片硅晶圓，美國最大存儲器廠(chǎng)商美光（Micron Technology, Inc.）則月產(chǎn)18萬(wàn)片硅晶圓。

除了擴產(chǎn)現有芯片，長(cháng)江存儲也打算加快科技發(fā)展進(jìn)程，近期，有消息人士表示，長(cháng)江存儲計劃最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片。此外，計劃到2021年下半年將存儲芯片的月產(chǎn)量提高一倍，至10萬(wàn)片晶圓。

當然，消息補充稱(chēng)，由于192層工藝的復雜性，需要時(shí)間確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量，這一計劃有可能會(huì )被推遲到今年下半年。

對于上述消息，1月13日長(cháng)江存儲發(fā)出《聲明》稱(chēng)“均為不實(shí)言論” 。長(cháng)江存儲強調，關(guān)于公司下一步建設計劃具體情況請以公司官方渠道為準。